薄薄一片,可是 800MB/s 的傳輸速度啊!MOSAID 發表第2代 HyperLink NAND 技術
(圖片來源:Market Wire)
一直以來 NAND Flash 的發展就是朝三個大方向發展:
- 製程微縮
- 容量提昇
- 傳輸變快
其中製程微縮方面 SSDM 2011 大會上已經有人提出解決方案了(這裡),在容量方面, 512Gb 的 NAND Flash 也出來一段時間了(不過貴到爆,約美金120元,幾乎沒有流通),那麼傳輸方面有沒有甚麼搞頭呢?
在提到這個之前,可能要先從 MCP 封裝跟 NAND Flash 的傳輸規格說起。MCP 封裝(Multi Chip Package,中譯多晶片封裝),這是一種將不同的記憶體整合成單一顆晶片組的封裝方式,原本是大量使用在手機跟智慧型手機上的封裝方式,通常是用一顆 NOR Flash 加上一顆 Mobile RAM 的組合居多。
但是近幾年,Samsung 開始大力推動 NAND Flash 規格的 MCP 晶片,所以現在 Sandisk 跟 Toshiba 也在積極地發展 MCP NAND Flash 晶片,像是 Sandisk 的 ISSD(這裡)以及 Toshiba 的 MCP記憶體(這裡)等等,至於傳輸規格方面,目前NAND Flash有兩個主要的傳輸規格:
- Intel 跟 Micron 還有 Sandisk 所主導的 ONFI(Open NAND Flash Interface)規格
- Toshiba 跟 Samsung 所主導的 DDR Toggle 規格
目前這兩個規格都宣稱最大傳輸速率可以達到 400MB/s ,所以我們不難發現隨著 MCP 晶片的發展以及新的傳輸規格的開發與制定,固態儲存裝置在「速度」上的發展將遠遠超越「容量」的發展,而固態儲存裝置的「定位」上也將越來越清晰。
回頭來講今天要介紹的 HyperLink NAND 晶片(以下簡稱:HLNAND),HLNAND 晶片其實也是 MCP NAND Flash 晶片的一種
從這張圖可以看到,所謂的 HLNAND 晶片,就是8顆標準的Flash Die(顆粒)加上一顆 MOSAID 自家開發的 HLNAND Bridge 晶片一起封裝而成的 MCP 晶片,對非此產業的人聽起來很玄,如果要用一個比較好理解的比喻的話,就好像是你拿8顆 Flash Die 去跑 RAID 0的感覺,因此相較於 DDR Toggle 2.0 規格的最高每秒400MB傳輸速率,HLNAND2 可以提供800MB/秒的傳輸速率,也就是說足足要快上一倍。
不過,這樣的速度可是用8顆 Flash Die 疊出來的,所以價格跟同容量的一般 NAND FLASH 相比只怕也要貴上八倍……… 當然,這對那些屬於高端應用,對 沒事直接燒鈔票來煮咖啡 的特殊產業來說,這樣一顆 NAND Flash 可以變出來的把戲可多了,不管是各種小型嵌入式系統的應用、超高速SSD的開發或是智慧型家電的開發等等,我想大家還是可以期待的吧^^"
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編按:感謝 VIP ACGFAN 的熱心貢獻[責任編輯:Sagat.Y]