nand flash搜尋結果

    • 科科來文
      業界容量最大,尺寸最小的,NAND,裝置為眾多消費性儲存應用提供成本優勢,美光科技,Micron,Technology,Inc,與英特爾,Intel,Corporation,宣佈推出採用,25,nm,製程技術3,bit,per,cell,3bpc,NAND,快閃記憶體,該,NAND,裝置擁有業界最大容量與最小尺寸,美光與英特爾已送樣給部分客戶,該產品預計在今年年底量產,與,USB,SD,Secur...
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    • 新聞板
      如果說地表最強的神奇手機,HTC,HD2,如果認第二大概沒有手機可以認第一了,雖然他的硬體規格在現在的水準來看早就已經不是機皇等級,但是可以任意跑記憶卡版,Android,直刷版,Android,與,WP7,都可以自在變化,光這一點世界上大概就沒有手機能與其匹敵,想當初也是年底的時候,HD2,可以開始刷,Android,系統,到現在一年多過去了,陸陸續續又出了很多版韌體,甚至連芒果WP,7,5的直...
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    • 電子產品
      2,5,吋混合硬碟在今年拜,Intel,調整,Ultrabook,策略所賜以及消費者對於價格,速度以及容量三者的考量下,忽然又熱起來,除了最早踏入的,Seagate,前陣子,WD,宣佈投入,2,5,吋混合硬碟產品,而東芝,Toshiba,也在最近正式宣佈混合硬碟產品線,今天在台灣正式向媒體介紹它們的第一世代混合硬碟,東芝是市面上唯一具備傳統硬碟技術,IC,設計以及投入,NAND,Flash,三項領...
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    • 人物和團隊專訪
      數位內容著作權管理是目前眾多內容擁有者相當重視的,由,Panasonic,Samsung,Sony,與,Toshiba,四家廠商共同創立的,NSM,Next,Generation,Security,Memory,也藉此次,Computex,期間來台推廣其基於快閃記憶體的數位內容保護技術,SeeQVault,希望與硬體製造業還有內容業者尋求合作機會,NSM,於去年一月所創立,其技術是透過記憶卡等基於...
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    • 新聞板
      ,上個月在大阪舉辦的,SSDM,2011,大會上,Solid,State,Devices,and,Materials,日本東大的竹內建教授提出使用旺宏的,3D,NAND,Flash,技術,SOI,技術,可以把,NAND,Flash,的製程一口氣再微縮到8nm,以往的,Floating,Gate,Cell,技術理論值只能到,8nm,因為會有量子效應的干擾問題,透過旺宏與竹內建教授所提出的這個技術,可...
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    • 購物商城
      top,老鳥流淚,新手必看,史上最平易近人的嵌入式專案開發書籍,獻給正在這個業界努力求生存,以及將要踏入這個領域的勇士們,以幽默逗趣的職場對話,點出嵌入式系統開發的精髓,脫離傳統介紹嵌入式系統原理和設計理論,直接切入實戰現場,透過完整的專案架構,循序引導正確的嵌入式系統開發觀念,用正統派的專案管理知識,貫穿電子產品開發生命週期,指引工程人員職涯發展再上層樓,這是一本專為系統開發人員撰寫,以能快速理...
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    • 實測觀點
      在最近大約是固態硬碟,SSD,已然進入大家能接受的價錢加上這幾年來資訊的快速流動,硬碟效能就是目前系統的瓶頸所在,已經大家都能接受的事所以不少人在組電腦或買筆電時都會開始考慮,SSD,也為此最近我們產生了一系列的文字來看這些東西TOSHIBA,Q300,120GB,TLC,入門級,SSD,採購紀錄Intel,730,240GB,SSD,MLC,劍靈包裝版,In,Windows,10,效能解放實測K...
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      Android,Porting進階移植技術實作,課程附贈實驗板,一人一套課後學習效果加倍,詳細課程訊息請見,http,edu,tcfst,org,tw,query_course,asp,shan,01C336,openmonth,none,課程目標,1,認識,Android,學習如何追蹤,Android,原始碼,2,認識,Linux,Linux,Device,Model,Linux,Device,...
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NAND,Flash,控制晶片與行動射頻,IC,廠榮慧科技,Silicon,Motion,在美國的快閃記憶體高峰會展出最新款的,SM2256,SATA,6Gbps,控制晶片,這款晶片是全球第一款同時具備搭載韌體與支援全系列,TLC,NAND,的控制晶片,可提供,1x,1y,1z,nm,製程與未來,3D,TLC,NAND,的支援性,除此之外具備,NANDXtend,解錯修正技術,透過多層解錯的機制提......
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Sandisk,今日發佈了,Extreme,II,SSD,固態硬碟,官方宣稱其擁有更快的讀寫速度,可以為那些遊戲愛好者或者是渴望提升電腦讀寫性能的使用者提供説明,該產品採用了19nm,的製造工藝,並且有,nCache,技術加持,這樣一來,Extreme,II,的順序讀取速度達到,550MB,每秒,順序寫入速度達到,510MB,每秒,同時其隨機讀取,IOPS,可以達到,95,000,隨機寫入,IOP......