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  雲嘉南區域教學資源中心
  
  透過本課程瞭解基本半導體材料的物理特性，熟悉各種半導體元件之操作原理與特性，課程內容包括：半導體概論二極體與雙極性電晶體(BJTs)概論今半與金氧半(MOS)結構概論金氧半場效電晶體(MOSFETs)概論
  
  2024-07-05
  
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  電子元件 - 維基百科，自由的百科全書
  
  主動元件，在半導體類中屬於執行保護功能，如下。保險絲（Fuse）- 過電流保護，只能使用一次。自恢復保險絲 (PolySwitch, self-resetting fuse)- 過電流保護，可重設後 ...
  
  2024-07-11
  
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金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書

日期：2024-07-05

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ......

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場效電晶體

日期：2024-07-06

場效電晶體第一節結構與特性一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...

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希子部落格(Seize Blog) » 20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章：場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET ...

日期：2024-07-09

20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章：場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET)特性。8-4場效電晶體應用」。 ... 本教材部分圖文取材自旗立資訊電子學II，書號15156，謹此誌謝。學習單下載：20090406_e_ch08_dash_3_to_ch08_dash_4 ......

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避免高壓積體電路發生閉鎖效應或類似閉鎖效應之電源間靜電放電防護設計

日期：2024-07-06

4 達好幾百伏特的電壓。如果靜電放電防護元件在驟回崩潰(Snapback Breakdown)狀態下的持有電壓(Holding Voltage)小於電源的電壓，靜電放電防護元件便可能會經由系統級靜電放電測試的暫態脈衝觸發而導通，進而造成積體電路發生非常嚴重...

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ULSI Process & BEOL Development - 國立嘉義大學應用物理學系

日期：2024-07-05

1 Reference Solid State Technology Semiconductor International 電子月刊電子資訊 J. of Applied Physics J. of the ......

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博客來-半導體元件物理學(上冊)

日期：2024-07-09

這本經典的書籍在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應 ......

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - III-V族與鍺期望能幫助CMOS發展 - Semicondutor Magazine

日期：2024-07-06

3>縮小矽互補式金屬氧化層半導體(silicon Metal-Oxide-Semiconductor，silicon CMOS)節點越來越困難。然而，III-V族及鍺(Ge)材料的金屬氧化層半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)能提升n型(n-type)及p型(p-type...

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全華‧科友教育資源網 - 全華圖書全球資訊網

日期：2024-07-05

教冊pdf(全冊)(2011/9/26，36478KB) 第一章~第十章習題word檔(2011/6/23，12763KB) 第一章重點PPT(2010/12/17，968KB) 第七章重點PPT(2010/12/17，3254KB) 第九章重點PPT(2010/12/17，4267KB) 第二十一章重點PPT(2010/12/17，930KB) 第二十二章重點PPT ......

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