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![金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org跳到 雙重（互補式）金氧半場效電晶體（CMOS, Complementary ... - [編輯]. 為了改善前述單一金氧半場效電晶體開關造成訊號失真的缺點，於是使用 ...瀏覽：795 -
![360°科技：FinFET - DIGITIMES]()
www.digitimes.com.twFinFET稱為鰭式場效電晶體(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體，閘長已可小於25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭髮寬度的1萬分之1。由於此一半導體技術上的突破，未來晶片設計人員可望能夠將 ...瀏覽：1328
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日期：2024-08-02
互補式金屬氧化物半導體（簡稱互補式金氧半；英語：Complementary ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate electrode）是由一層 ......
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日期：2024-08-04
本論文提出一個可整合於28奈米互補式金氧半金屬閘極製程的功率元件，稱為浮空場板金氧半場效電晶體(Floating Field Plate MOSFETs)。薄閘極介電層下，藉由浮 ......
瀏覽：1004
日期：2024-08-02
整合金屬閘極於互補式金氧半電晶體將帶來新的挑戰，金屬閘極的採用需要提供 ... 費米栓(Fermi-level pinning)效應，結果顯示氮化鉬閘極是p-型金氧半場效電晶體很 ......
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日期：2024-08-05
此篇論文即是討論利用互補式金氧半場效電晶體元件製成之晶片所使用的架構，包括串續介面及控制、感測器感測影像操作及控制、控制感測器之用的暫存器。...
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日期：2024-08-09
閘極氧化層崩潰電壓的下降會使得金氧半場效電晶體更容易受到靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)的轟擊而受損，因為靜電放電的本質並未隨著金氧半製程的 ......
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日期：2024-08-05
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子計算機, BiCMOS, 雙極互補金氧半導體. 學術名詞 電子工程, BiCMOS, 雙極互補式金氧半場效電晶體 ......
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日期：2024-08-03
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, BC MOSFET`s, 雙極互補式金氧半場效電晶體. 以雙極互補式金氧半場效電晶體 進行詞彙精確檢索結果 ......
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日期：2024-08-03
互補式金氧半(CMOS) 之材料、製程與元. 件特性分析(I). 一、前言. 近幾年，由元件尺度微縮以提升金氧半. 場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field....
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