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![1x奈米製程強力驅動 半導體設備/材料/工具大革新 - 懂市場 - 新電子科技雜誌]()
www.mem.com.tw半導體業正積極往16/10奈米先進製程邁進；然而，由於16奈米開始電晶體結構將由平面(Planar)改為三維(3D)型式，促使晶片設計工具、製程設備及封裝材料皆須全面換新，因此相關業者已積極投入研發，以克服1x奈米製程技術商用瀏覽：1265 -
![金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org跳到 雙重（互補式）金氧半場效電晶體（CMOS, Complementary ... - [編輯]. 為了改善前述單一金氧半場效電晶體開關造成訊號失真的缺點，於是使用 ...瀏覽：569
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日期：2024-07-24
互補式金屬氧化物半導體（簡稱互補式金氧半；英語：Complementary ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate electrode）是由一層 ......
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日期：2024-07-20
中文提要：. 本論文為主要分為三部分。第一部分針對互補式金屬氧化物半導體的主動與. 被動元件原理與特性作說明，對常見的電晶體如雙極性電晶體、金屬氧化物半 ......
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日期：2024-07-23
互補金屬氧化物半導體是一種已大量使用的光集成器件，它可以把更多的功能(如像素陣列、計時邏輯、採樣電路、放大器、參考電壓等)集合成一體，故價格低廉，原理和 ......
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日期：2024-07-25
互补金属氧化物半导体是一种已大量使用的光集成器件，它可以把更多的功能(如像素阵列、计时逻辑、采样电路、放大器、参考电压等)集合成一体，故价格低廉，原理和 ......
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日期：2024-07-20
互补金属氧化物半导体-互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在扫描仪中可记录光线变化的半导体。...
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日期：2024-07-24
飛思卡爾半導體(Freescale)與IBM宣佈，飛思卡爾將加入IBM技術聯盟，共同參與半導體技術的研發。該份協議涵蓋互補式金屬氧化物半導體(CMOS)及絕緣層上矽 ......
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日期：2024-07-27
CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的 ......
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日期：2024-07-23
類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術. 857. 一般性考慮. MOS 元件的側視圖和上視圖. 元件的側視圖和上視圖。...
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