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![[SST精選] 改善金屬閘極的功函數控制 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌]()
ssttpro.acesuppliers.com與一般所認知的相反，閘極與介電層之間的介面扮演了定義feff的主要角色。這在最近已藉由將與不同介電層(SiO2和HfO2)直接接觸的釕(ruthenium)金屬閘極，曝露在氧化／還原的環境中的研究而加以闡明[3]。 ...瀏覽：457 -
![功函数- 维基百科，自由的百科全书]()
zh.wikipedia.org能够证明如果我们定义功函数为把电子从固体中立即移出到一点所需的最小能量， 但是表面电荷分布的效应 ...瀏覽：1141
![[SST精選] 改善金屬閘極的功函數控制 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_38.jpeg)
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日期：2024-11-12
... 的單元內看到的功函數介紹光電效應時會談到功函數一般教科書都會說明功函數 的定義....
瀏覽：909
日期：2024-11-10
請問各位先進，功函數〈work function〉的定義為何？以及在光電效應中功函數該如何作定位。 版主謹啟....
瀏覽：1026
日期：2024-11-13
整理可得：. 定義為功函數差ms. 功函數差ms（續）. 以p+複晶矽（假設EF=Ev）為閘極：. p型基板的功函數差....
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日期：2024-11-12
2006年3月16日 - 還是我對功函數的定義有問題?(我的認知:功函數是電子從費米能階跳到導電帶的最低臨界 ......
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日期：2024-11-13
... 其中ΦM 代表金屬的功函數(work function)，功函數的定義為該物質的費米能階( Fermi level)到真空能階....
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日期：2024-11-08
2012年9月7日 - 同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功 函数。...
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