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![徹底瞭解！電晶體]()
www.rohm.com.tw定義：若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗，因而造成元件發熱時，接合面(junction) ... 計算方法：將施加Px的電力時所造成的溫度上升作為△ Tx，由此可得 ...瀏覽：1427 -
![S-端子/]()
www.yd-tech.com.twS-端子（英語：S-Video），或稱「獨立視訊端子」 ，而當中的S是「Separate」的簡稱。 ... S-端子支援480i或576i解析度。 概述.瀏覽：692
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日期：2024-08-03
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金屬氧化半導體場效電晶體... ... * 兩個n+ 分別作為該元件的源極(Source)和汲極(Drain)，分別引出源極(Source)和汲極(Drain) * 夾在n+(n-)區間的P區隔著一層SiO 2 的介質作為閘極(Gate)...
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日期：2024-08-01
致冷晶片的原理是什麼 熱電致冷晶片(Thermoelectric Cooling Module)及溫差發電晶片(Thermoelectric Power generating Module)的理論基礎早在19世紀初即被科學家發現。西元1821年(約180年前)德國科學家Thomas Johann Seebeck (1770-1831)發佈塞貝克效應 ......
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日期：2024-08-06
車用MOSFET. 產品列表. 不推薦使用新的設計和已宣佈停產的產品. 替代品查找. « 返回電晶體 ......
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日期：2024-08-05
Like its bipolar cousin, the field-effect transistor may be used as an on/off switch
controlling electrical power to a load. Let's begin our investigation of the JFET as
......
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日期：2024-08-01
編號 論文名 作者 畢業年 1 深次微米金氧半場效電晶體之Flicker Noise量測... 陳俊瑋 2004 2 CMOS主動及被動微波積體電路設計 朱宏章 2005 3 射頻混波器的設計與特性分析 吳順達 2005 4 射頻金氧半場效電晶體之基板模型建立及參數直......
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日期：2024-08-01
安森美半導體(ON Semiconductor)新推出12款100V的N通道功率MOSFET，提供達500毫焦耳(mJ)的雪崩額定值， ... 最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體( MOSFET)將不再由矽晶製成。...
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日期：2024-08-04
金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)正經歷重大改變。業界採取兩種截然不同的方法來達到更高效能， ......
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日期：2024-08-01
MOSFET在概念上屬於「絕緣閘極場效電晶體」（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。 ..... 在功率電晶體（Power MOSFET）的領域裡，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣 ......
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