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日期:2024-08-01
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日期:2024-08-02
Title: 高 功率橫向 金氧半場效電晶體元件參數的溫度響應及其應用實例 Other Titles: Temperature dependence of HV LDMOSFET ......
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日期:2024-08-07
其發展及用途也日漸成長,特別是功率金氧半場效應電晶體。然而如何設 ..... 功率金氧半場效電晶體之參數特性可分為靜態(Static)特性,或稱直流. (DC)特性及 ......
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日期:2024-08-01
Power MOSFET簡介MSIK power 2010/4/20 POWER MOSFET功率金氧半場效電晶體POWER MOSFET簡介POWER MOSFET常用規格說明Power MOS ......
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日期:2024-08-05
功率金氧半場效電晶體﹙Power Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor﹚一般簡稱功率電晶體﹙Power MOSFET﹚功率電晶體於1970 年代後期開始使用 ......
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日期:2024-08-03
高壓800 伏功率金氧半場效電晶體設計及製造. 計畫主持人:中興大學電機工程學系貢中元教授. 共同主持人:逢甲大學電子工程學系簡鳳佐教授. 計畫編號:NSC ......
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日期:2024-08-01
Toshiba power MOSFETs can cover a wide range of applications, due to the many different specifications available. Advanced packaging technology combined ......
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日期:2024-08-06
型橫向擴散金氧半場效電晶體與標準的多指型元件相較起來,其擁有較低的導通電. 阻、較高的截止頻率、較高的最大震盪頻率、及較佳的功率性能。 Abstract....