search:半導體功函數相關網頁資料

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    日期:2024-08-04
    ... ,MG),以做為未來的效能提昇之用。而實現金屬閘極的一個關鍵挑戰,是如何選擇具有合適功函數(workfunction)的金屬。如何做出正確的選擇是很關鍵的,因為閘極的有效功函數(effective workfunction)(因此也是MOSFET臨界電壓) ......
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    日期:2024-08-08
    ... 層區域產生重疊和內混效應,以影響閘極功函數和介電層等效氧化層厚度(EOT)。最後,儘管金屬功函數強烈地受高介電層組成所影響,這傳統方法於nMOS和pMOS ......
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    日期:2024-08-03
    金屬的fermi level 就在材料表面,因此其work function 便是vacuum level. 和fermi level 的 ... 半導體的work function與金屬有別,因為其fermi level 在CB之下,所以其....
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    日期:2024-08-04
    請問n型矽和p型矽的 半導體功函數 ......
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    日期:2024-08-04
    我跟老師說當金屬的 功函數大於 半導體的 功函數時,則 半導體的電子會流向金屬形成蕭特基接觸.老師噹我說:金屬的價電帶跟導電帶是重疊的,所以金屬的根本不會有 ......
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    日期:2024-08-07
    而實現金屬閘極的一個關鍵挑戰,是如何選擇具有合適功函數(workfunction)的金屬。如何做出正確的選擇是 ......
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    日期:2024-08-05
    當一個功函數qψm的金屬與功函數qψs的半導體接觸將會發生電. 荷轉換直到費米能階成一直線為止( ......
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    日期:2024-08-06
    In metals, work function and ionization energy are the same. The work function ... Work function in semiconductors: Figure 2 shows a schematic energy diagram ......