search:半導體基本元件結構相關網頁資料

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        在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場(built-in electric field),內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外,半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
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        ... 上大多稱呼它的其他名稱,平常不以電感器稱呼,例如:變壓器、馬達裡的電磁線圈繞 ... 電感元件即利用這種感應的原理,在電路中發揮了許多作用。 儲存的能量 [編輯] ... l = 繞線物理長度 單位 英寸 N = 匝數 d = 纏繞深度 單位 英寸 (即, 外半徑減去內半徑)
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    日期:2024-07-31
    積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇:是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向,或推出稱為 鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ......
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    日期:2024-08-03
    太陽能電池元件製程技術. Solar Cell Devices Process Technology. 許正興. 國立 聯合大學電機工程學系 ......
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    日期:2024-08-03
    2-1 太陽能電池的基本原理; 2-2 太陽能電池的基本結構; 2-3 太陽能電池的製作. 2. 內容大綱 ... Solar Cell); 異質接面型太陽能電池元件(Hetero-Junction Solar Cell)....
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    日期:2024-07-30
    穿戴式裝置囿於體積及重量限制,對晶片尺寸與功耗要求較行動裝置更加嚴苛,因此微控制器(MCU)、微處理器(MPU)與微機電系統(MEMS)感測器等元件開發商,紛紛推出更低功耗或高整合度的新一代解決方案,期能大啖穿戴式電子商...
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    日期:2024-07-31
    將一些常見材料依其導電度(下方橫軸)標出,上方橫軸所標示的是對應的電阻. 率。 半導體的導電度大約介於10-8 到103....
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    日期:2024-07-30
    表2.1為半導體元件的分類,分別以積體度分類,以基板構成分類,以構造分類,加上以功能分類,亦考慮以 ... 多種類少量生產方式元件─ ASIC、custom IC、邏輯IC....
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    日期:2024-08-03
    1. 半導體物理與元件1-1. 中興物理孫允武. 一、半導體物理簡介. (基本概念). 1.1 半導體的鍵結與晶格結構. 1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與半導體 的 ......
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    日期:2024-08-02
    10pt 3>因為新材料的引入,使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......