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  半導體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
  
  2024-11-10
  
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  電感元件 - 維基百科，自由的百科全書
  
  ... 上大多稱呼它的其他名稱，平常不以電感器稱呼，例如：變壓器、馬達裡的電磁線圈繞 ... 電感元件即利用這種感應的原理，在電路中發揮了許多作用。儲存的能量 [編輯] ... l = 繞線物理長度單位英寸 N = 匝數 d = 纏繞深度單位英寸 (即, 外半徑減去內半徑)
  
  2024-11-16
  
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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 完全空乏型元件時代 - Semicondutor Magazine

日期：2024-11-16

積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇：是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向，或推出稱為鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ......

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太陽能電池元件製程技術 - 國立聯合大學

日期：2024-11-09

太陽能電池元件製程技術. Solar Cell Devices Process Technology. 許正興. 國立聯合大學電機工程學系 ......

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第二章太陽能電池的基本原理及其結構

日期：2024-11-12

2-1 太陽能電池的基本原理; 2-2 太陽能電池的基本結構; 2-3 太陽能電池的製作. 2. 內容大綱 ... Solar Cell); 異質接面型太陽能電池元件(Hetero-Junction Solar Cell)....

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低功耗/高整合方案盡出穿戴式裝置元件規格大翻新 - 懂市場 - 新電子科技雜誌

日期：2024-11-12

穿戴式裝置囿於體積及重量限制，對晶片尺寸與功耗要求較行動裝置更加嚴苛，因此微控制器(MCU)、微處理器(MPU)與微機電系統(MEMS)感測器等元件開發商，紛紛推出更低功耗或高整合度的新一代解決方案，期能大啖穿戴式電子商...

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半導體物理簡介

日期：2024-11-12

將一些常見材料依其導電度（下方橫軸）標出，上方橫軸所標示的是對應的電阻. 率。半導體的導電度大約介於10-8 到103....

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第二章半導體元件的種類與構造

日期：2024-11-10

表2.1為半導體元件的分類，分別以積體度分類，以基板構成分類，以構造分類，加上以功能分類，亦考慮以 ... 多種類少量生產方式元件─ ASIC、custom IC、邏輯IC....

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一、半導體物理簡介(基本概念）

日期：2024-11-13

1. 半導體物理與元件1-1. 中興物理孫允武. 一、半導體物理簡介. (基本概念）. 1.1 半導體的鍵結與晶格結構. 1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與半導體的 ......

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine

日期：2024-11-13

10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......

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