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![感測電路結構各展所長 電容式觸控技術百家爭鳴 - 技術前瞻 - 新通訊元件雜誌]()
www.2cm.com.tw從圖1的導線可以看見，實際上它是在玻璃基板與透明膜片表面間形成透明電極，電極材料為可視光穿透率超過90%以上，材料使用液晶面板常用的氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)。四線式觸控面板的結構單純，但缺點是穿透率不利於廠商，且膜片端的電極一旦受 ...瀏覽：1450 -
![半導體元件物理 - 雲嘉南區域教學資源中心]()
yct.ncku.edu.tw1, 半導體物理與基本結構以及能帶簡介. 2, 熱平衡時的能帶及載子濃度. 3, 載子傳輸 現象. 4, pn接面能帶結構載子傳導與電壓-電流特性簡介. 5, BJT(雙載子電晶體)基本 ...瀏覽：518
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日期：2024-11-15
2014年9月9日 ... 一、本書蒐集60個國內外知名企業行銷研究個案，有助擴大行銷國際觀，並貼近生活
增加熟悉感，有效提升 ......
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日期：2024-11-12
為了提升系統在遭受靜電放電(ESD)事件時的強固性，設計人員須採用多種方法來確保產品符合ESD標準，其中一種方法是在輸入/輸出(I/O)連接器等關鍵電路節點處使用保護元件，這類ESD保護元件通常稱為瞬態電壓抑制器(TVS)，是...
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日期：2024-11-10
這本經典的 書籍在 半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應 ......
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日期：2024-11-15
課 課程單元 重要日期 1 化合物半導體：材料系統 (三五族、二六族、四六族、四四族)，混合型材料，能隙與晶格常數，能帶結構 (E與k； Γ、L、X能帶之最低點；直接與間接能隙 ......
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日期：2024-11-09
[編輯]. 更多資料：能帶結構. 半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子
......
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日期：2024-11-15
氮化鎵(GaN)是一種自然會產生電極化(自發極化)的結晶，在施加壓力於結晶後會產生新的電極(偏極)的壓電材料，氮化鋁鎵(AlGaN)和氮化鎵(GaN)在自發極化時會出現差異，但由於晶格常數亦有所不同，因此一旦形成氮化鋁鎵-氮化鎵(AlGaN/GaN)異質結構後 ......
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日期：2024-11-15
2011年11月14日 ... Chapter 1 半導體特性基本概念. 1.1半導體的材料與種類. 1.2半導體的鍵結與晶格
結構. 1.3半導體中的 ......
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日期：2024-11-14
半導體元件結構可能提到的專業術語。 2 ... 基本包為最小單元胞，可以重複排列以
形成. 晶格。選用單元胞比基本胞來的更 ......
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