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  Semiconductor Photodetectors - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo
  
  “電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目：基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ...
  
  2024-07-21
  
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  氧化鋅 - 維基百科，自由的百科全書
  
  氧化鋅是鋅的氧化物，難溶於水，可溶於酸和強鹼。它是白色固體，故又稱鋅白。它能通過燃燒鋅或焙燒閃鋅礦（硫化鋅）取得。在自然中，氧化鋅是礦物紅鋅礦的主要成分。雖然人造氧化鋅有兩種製造方法：由純鋅氧化或烘燒鋅礦石而成。氧化鋅作為 ...
  
  2024-07-20
  
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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 半導體濕式清洗製程臭氧水安全風險考量 - Semicondutor Magazine

日期：2024-07-20

隨著半導體製程技術演進，由以往0.18微米至現今90奈米線寬，晶圓表面之污染物控制更為嚴苛，於晶圓清洗後要求於其表面快速形成氧化層，目前以高濃度臭氧水溼式製程，達到產能大及氧化層厚度快速形成為主流；但半導體廠以往著重探討相關製程化學 ......

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絕緣層上矽分析及應用 - 明新科技大學右任紀念圖書館

日期：2024-07-23

絕緣層上矽分析及應用明新學報32 期, Volume 32, Minghsin Journal 105 氧化，產生一層氧化層，控制氧化環境溫度使氧化層和矽層介面為低缺陷低雜質。當兩個晶圓都處理過後，利用凡得爾力（Vender Walls force ）的作用將元件晶圓和操作晶圓進行鏈 ......

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半導體科技新聞 - 用於下一個世代製程之先進乾式及濕式清洗方法 - Semicondutor News, Science and Technology

日期：2024-07-24

Marc Heyns , Paul W.Mertens , IMEC, Leuven,Belgium Jerzy Ruzyllo, Pennsylvania State University,University Park,Pennsylvania Maggie Y.M.Lee, Senior Technical Editor ,Solid State Technology 晶圓清洗是IC製程中最常重複使用的步驟。一般常用之濕式清洗技術 ......

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