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![[技術專文]高密度COF接合技術 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌]()
ssttpro.acesuppliers.com陸蘇財、黃元璋 工研院電子所 LCD驅動IC的構裝需要高密度的接合技術來達成，目前依使用的構裝結構不同可區分為TAB(Tape Automated Bonding)、COG(Chip瀏覽：1094 -
![優勝奈米科技有限公司]()
www.uwin-nano.com降低電流密度(ASD): 在相同的條件下，降低電流密度能夠有效的降低高低電流區間 的數值，可 改善膜厚不均。 2.遮蔽治具的 ...瀏覽：1065
![[技術專文]高密度COF接合技術 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_37.jpeg)
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日期：2024-08-22
在極其精密化的半導體領域，近年來，PVD、CVD等乾式製程正在被濕式製程(電鍍技術)所取代。本公司除了提供做為半導體晶圓用的銅Damascene細微配線用電鍍銅製程以外，也提供了凸塊(Bump)用各種電鍍銅、鍍鎳、鍍錫以及鍍金等電鍍工藝製程。...
瀏覽：347
日期：2024-08-21
Application on 5 PEP (BCE) •Consist of plasma 電漿其實是由諸多離子、電子、分子及原子團(radicals) 所組成且電性為中性的部分離子化氣體。全部分子、原子都解離成離子和電子的狀態稱為完全解 離電漿，而RIE/PE/ICP為弱解離；RIE/PE的解離率約0.01%而...
瀏覽：349
日期：2024-08-18
5 ,孫旭昌等,氟化非晶相碳膜製程參數及熱穩定性之研究(一) ,毫微米通訊;,pp.22~28,2000。 6 .張勁燕,電子材料,第四章,五南, 1 999 。 7 .張鼎張。胡榮冶,金屬化學氣相 ......
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日期：2024-08-16
圖1顯示硫酸銅濃度170g/L的陰極電流密度與對BVH均一性的關係。使用既有電鍍浴的BVH包覆性在100%以下，但VT28製程因為陰極電流密度廣，均一性能力可發揮超過100%。因此，提高對PTH包覆性有利的硫酸後也可以生產有BVH的HDI基板。...
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日期：2024-08-21
2.2 電鍍原理與電鍍操作基本注意事項………………………………5. 2.2.1 電鍍製程操作事項… ..... 業，繼而將使用的檢測設備與金屬薄膜應用於半導體製程作為金屬材. 料的應用。 1.2 實驗目的....
瀏覽：1262
日期：2024-08-22
在無電鍍鈷合金薄膜製程，鍍浴溶氧. 量由8ppm ... 並於其上覆蓋無電鍍鎳做為抗蝕層，具有實際應用於半導體65 奈米 ...... 方法，其鍍著原理是利用鍍浴中的還原劑，將金屬離子在催化表面....
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日期：2024-08-23
行動版 - 電鍍原理圖解/ 電鍍原理圖/ 鋰電池原理圖解DR.580幫你蒐集電鍍原理圖解相關資料:半導體製程電鍍原理 ......
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