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日期:2024-12-22
原理簡介. 一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。材料元件內自由
..... 半導體製造不管在矽晶圓、積體電路製造,或是IC晶片構裝,其生產製程相當 ......
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日期:2024-12-23
一般而言,離子佈植機的構造主要包括下列的系統:離子源(ion source)、分析 ... 其中離子源係為產生各種離子的基本設備,其工作原理係將靶材物質游離,使其形成帶 ......
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日期:2024-12-21
2. 目標. ‧列出至少三種常用的掺雜物. ‧指出三種掺雜區域. ‧描述離子佈植的優點. ‧ 描述離子佈植機的主要部份. ‧解釋通道效應. ‧說明離子射程與離子能量的關係. ‧解釋需 ......
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日期:2024-12-22
這些元素藉由熱擴散法或離子植入法摻入矽中,目前以離子植入法為主流。 雜質摻入 .... 絕緣層的產生,也就是氧的植入等,需要使用高能量離子植入機。此外,源極/汲 ......
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日期:2024-12-23
在所有半導體元件中,離子植入是電晶體結構中一項相當重要的技術。在離子植入 過程中, .... 離子佈植原理是將所需的注入元素電離成正離子,並使其獲得所需的量, 以很快的速度射入晶片的技術。 離子佈植之後會 ... 圖七 離子佈植機. 圖八 氧化擴散爐 ......
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日期:2024-12-19
7 掺雜半導體: 擴散 ‧等向性 製程 ‧無法獨立控制掺雜接面深度與掺雜物濃 度 • 1970年代中期被離子佈植技術取代 8 掺雜半導體:離子佈植 ‧可獨立控制掺雜物濃度(離子束電流與佈 ......
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日期:2024-12-18
回上一頁 二十 世紀以來,各項尖端科技如航太科技、電子儀器以及各種功能的電腦的發展,對半導體元件和電路的生產要求具有更高的性能,原有的生產技術限制了半導體性能的進一步提高,離子佈植技術正是反應這種需求而發展出來的 ......
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日期:2024-12-22
離子植入機將離子賦予一能量直接精準地植入於矽晶片中設計好的區域以及正確的深度,且離子植入機能控制植入於矽晶片內的離子劑量,所使用化學品:BF3,PH3,AsH3,IPA,IPA+水 ......