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日期:2024-07-30
專利名稱 半導體雷射元件之 結構及其製造方法 專利證書號 I229485 專利權人 國立中央大學 專利國家 台灣 , 發明 ......
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日期:2024-07-30
基本上半導體雷射的結構主要可以分為兩大類:邊射型雷射(edge emitting laser,
EEL)與垂直共振腔面射型雷射(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL) ,這樣
......
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日期:2024-08-03
雷射發明至今已有超過半世紀的歷史,在眾多種類的雷射中,半導體雷射一直在雷射
的應用 ... 透過適當的結構設計與激發過程可以將雷射光放大,其中採用雙異質接面 ......
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日期:2024-07-31
半導體VCSEL 具有圓型的雷射光點、低發散角、低閾值電流、高調變速度與頻寬和
.... 因此,使用應力補償式InGaAsP/InGaAsP 量子井結構有效增進了高溫下的雷射 ......
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日期:2024-07-30
半導體雷射(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續
... 由於具有條狀結構,即使是微小電流也會增加活性區域的居量反轉密度,優點是 ......
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日期:2024-08-01
一個優良的雷射元件始於磊晶層結構的設計。近代的高效能半導體雷射絕大多數使用
量子井結構的磊晶層,也就是在化合物半導體基板(如砷化鎵)上均勻地成長非常 ......