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zh.wikipedia.org以下的公式中，R為特定的物理量，T為量測物理量時的溫度，T0為參考溫度，ΔT為量 測溫度及參考 ... 則物理量可以用以下公式表示： ... 上述性質常用在熱敏電阻中。瀏覽：768 -
![RomeoFan Blog: 金屬氧化半導體場效電晶體 - yam天空部落]()
blog.yam.comMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金屬氧化半導體場效電晶體... ... * 兩個n+ 分別作為該元件的源極(Source)和汲極(Drain)，分別引出源極(Source)和汲極(Drain) * 夾在n+(n-)區間的P區隔著一層SiO 2 的介質作為閘極(Gate)瀏覽：345
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日期：2024-11-17
巨馳之微電阻亦稱為Current Sensing Resistors電流檢知電阻，其特點為電阻低,使用電流高。一般用於檢知電流。 巨馳目前所生產之規格為2512，1W、1.5W、2W，10月份增加2525規格最高使用電流60A。...
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日期：2024-11-11
物質的導電能力按電阻率ρ 來區分時，可分為導體、半導體與絕緣體：. 導體：物質中
含有 ... ➁金屬的電阻率隨溫度提高而提高，但半導體則反之，即溫度愈高，電阻愈小。...
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日期：2024-11-15
絕緣閘雙極電晶體（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是 ......
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日期：2024-11-14
以專業的眼光來看便是該材料的電阻值可藉由摻入雜. 質的種類、 ... 由於半導體的
電阻值乃是藉由雜質的濃度來調整，因此....
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日期：2024-11-11
這是因為把微量的「雜質」(impurity)摻入(doping)半導體中，可以很大程度的改變
半導體材料的電阻率。相反的，無論怎麼摻 ......
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日期：2024-11-17
就感測的靈敏度而言，由於是利用氧化物對氣體產生吸附作用而改變其電阻值，因此
若能提高反應表面積，對靈敏度及響應 ......
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日期：2024-11-11
從週期表中認出至少兩種半導體材料 .... 電阻器. •IC晶片上的電阻器係以多晶矽製作.
•電阻值由長度、線寬、接面深度及掺質....
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