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zh.wikipedia.org可變電阻式記憶體（英语：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或 ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體 ， ...瀏覽：727
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日期：2024-07-10
根據SanDisk公司，記憶體製造商預計要到開始製造3D 可變電阻式記憶體(ReRAM)
之後，才會將超紫外光(EUV)微影技術導入記憶體製造，而這一時間點至少是 ......
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日期：2024-07-11
2012年12月6日 ... 現今使用之記憶體可分為揮發式. 記憶體(Volatile Memory) 及非揮發式記. 憶體(Non
-Volatile Memory) 兩類。揮發. 式記憶體必須在有電流持續供給 ......
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日期：2024-07-15
2010年5月20日 ... 意在取代快閃記憶體及DRAM的新型記憶體的開發，進入了關鍵時期——此前其開發
一直處於存貯單元等要素技術水準上的可變電阻式記憶 ......
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日期：2024-07-17
2013年11月7日 ... 資料中心(Data Center)將成驅動記憶體業成長的新動能。隨著雲端服務崛起，全球
資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發展；目前這兩 ......
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日期：2024-07-13
2013年8月9日 ... 存储器芯片运用RRAM(Resistive RAM)可变电阻式记忆体技术，Crossbar称单芯片
容量达1TB，写入速度比NAND闪存快20倍。IC行业资讯-思泰佳 ......
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日期：2024-07-17
在電阻式記憶體的材料研究上，本論文採用目前晶圓廠最常用的. 金屬材料(鎢)， .....
圖4-32 氧化1600秒樣品，六個正偏壓狀態的I-V圖與可變程躍遷機. 制擬合曲線，小 ......
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日期：2024-07-17
2014年5月27日 ... 被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」（Resistive Random Access
Memory、ReRAM）發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨 ......
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日期：2024-07-10
專. 題. 報. 導. 34. 科學發展2013 年6 月│ 486 期. 離開歐姆定律─. 電阻式記憶體
材料. □. 鍾裕隆、陳貞夙. 大家對歐姆定律耳熟能詳，總是認定電流和電壓應該是成 ......
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