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        金屬氧化物半導體場效電晶體 (簡稱: 金氧半場效電晶體 ; 英語 : Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , 縮寫 : MOSFET ),是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為 ...
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        標準電壓下的空乏型場效應管。從左到右依次依次為:接面場效電晶體,多晶矽金屬—氧化物—半導體場效應管,雙閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬半導體場效應管。
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    日期:2024-11-12
    電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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    日期:2024-11-11
    場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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    日期:2024-11-14
    p 덱륄JFET ꑵ 귬뉺 n덱륄곛 ꅁ 걏덱륄걏 p 뻉엩 ꅁ뻉 덱껉녡 륱 륱걽 랽랥롧덱륄걹ꑊ 랥ꅁ륱걹 ꅁ랽랥륱 뚷룻 랥 결낪ꅃ놱 륨랥걏 n+뻉엩 ꅁ굮녎덱륄 륨랥 뚷 ꑗ 냷...
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    日期:2024-11-14
    接面 場效應 電晶體的工作 原理(以N-JFET 為例): 高級中學物理(下冊) 第八章 電子學 8-4 : 場效電晶體 P15 3. 接面 場效應 電晶體的輸出特性曲線 ......
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    日期:2024-11-17
    2 比較 載子 雙載子 單載子 (場:電場) 漂移電流 主要為擴散電流 (射極發射) 電流 場效電晶體 FET 雙載子接面電晶體 BJT...
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    日期:2024-11-14
    依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場 效電 ... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,....
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    日期:2024-11-13
    摻雜FET(解釋如下)的通道用來製造N型半導體或P型半導體。在耗盡模式的FET下,漏和源可能被摻雜成不同類型至通 ......
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    日期:2024-11-11
    電子工程專輯提供相關 場效應電晶體技術文章及相關 場效應電晶體新聞趨勢,及更新最新相關 場效應電晶體電子產品 ......