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日期:2024-10-11
電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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日期:2024-10-14
場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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日期:2024-10-07
p 덱륄JFET ꑵ 귬뉺 n덱륄곛 ꅁ 걏덱륄걏 p 뻉엩 ꅁ뻉 덱껉녡 륱 륱걽 랽랥롧덱륄걹ꑊ 랥ꅁ륱걹 ꅁ랽랥륱 뚷룻 랥 결낪ꅃ놱 륨랥걏 n+뻉엩 ꅁ굮녎덱륄 륨랥 뚷 ꑗ 냷...
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日期:2024-10-11
2 比較 載子 雙載子 單載子 (場:電場) 漂移電流 主要為擴散電流 (射極發射) 電流 場效電晶體 FET 雙載子接面電晶體 BJT...
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日期:2024-10-11
See also bipolar transistor and transistor. A field-effect transistor (FET) is a type of transistor commonly used for weak-signal amplification (for example, for amplifying wireless signals). The device can amplify analog or digital signals. It can also s...
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日期:2024-10-11
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電 ... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,....
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日期:2024-10-09
FET可分為MOSFET與JFET,MOSFET可分為增強型與空乏型。 之夾止飽和電流ID
... 對MOSFET 而言,不管是N 通道或是P 通道,其工作原理相同,但. 是傳導載子 ......