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        金屬氧化物半導體場效電晶體 (簡稱: 金氧半場效電晶體 ; 英語 : Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , 縮寫 : MOSFET ),是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為 ...
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        標準電壓下的空乏型場效應管。從左到右依次依次為:接面場效電晶體,多晶矽金屬—氧化物—半導體場效應管,雙閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬半導體場效應管。
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    日期:2024-08-04
    電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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    日期:2024-08-06
    所以又稱為雙極性電晶體。而接著要說明的場效電晶體 只用一種載體作電流之傳導,所以稱為單極性電晶體。如載體為電洞者,稱為P通道場效電晶體;如載體為電子者,稱為N通道場效電晶體 ......
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    日期:2024-08-04
    場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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    日期:2024-08-04
    平時測驗 場效電晶體 1. 下列那一種元件是單靠一種載子來傳送電流? (A)FET (B)雙極性電晶體 (C)二極體 (D)SCR。 2. N通道增強型MOSFET欲使之導通,則閘極源極間電壓(V GS)應加何種偏壓? (A)0V (B)負電壓 (C)小於臨界電壓(VT)之正電壓 (D)大於臨界電壓(V T ......
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    日期:2024-07-31
    p 덱륄JFET ꑵ 귬뉺 n덱륄곛 ꅁ 걏덱륄걏 p 뻉엩 ꅁ뻉 덱껉녡 륱 륱걽 랽랥롧덱륄걹ꑊ 랥ꅁ륱걹 ꅁ랽랥륱 뚷룻 랥 결낪ꅃ놱 륨랥걏 n+뻉엩 ꅁ굮녎덱륄 륨랥 뚷 ꑗ 냷...
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    日期:2024-08-02
    場效電晶體(Field Effect Transistor;FET) 是一控制電流流通的電子元件,若以水庫供水來比喻,水庫供水端即相當於FET的源極(Source),出水口相當於汲極(Drain),而負責控制水流量的即為閘極(Gate)。 鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect...
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    日期:2024-08-05
    金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET )是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體(field-effect transistor)。MOSFET依照其 「通道」...