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日期:2024-11-15
互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點, ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極(gate ..... 取自“http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=互補式金屬氧化物半導體&oldid=30662626”....
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日期:2024-11-14
維基百科所有的內容都應該可供查證。 ... 多閘極電晶體指的是集合了多個閘極於一體的金氧半電晶體(MOSFET)。 ... 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體,其中包含了超威半导体, 日立, IBM, 英飞凌, 英特尔, 台积电, 飞思卡尔, 加州大学 ......
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日期:2024-11-13
維基百科所有的內容都應該可供查證。 ... 絕緣閘雙極電晶體(英语:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動 ... IGBT結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性,IGBT通常 ......
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日期:2024-11-17
场效应晶体管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场 .... 大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。...
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日期:2024-11-15
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of transistor used for amplifying or switching electronic signals ......
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日期:2024-11-17
2013年9月18日 - 金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在 ......
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日期:2024-11-11
2011年11月8日 - 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明,但是實用的器件一直到1952年才被製造出來(接面場效電 ......
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日期:2024-11-11
2010年5月20日 - Q:何謂場效電晶體. A:. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,. 不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接 ......