search:多晶矽薄膜電晶體相關網頁資料

      • zh.wikipedia.org
        這種改善卻增加了反應時間,它的初始就是50ms的等級,IPS型的面板 成本也是極昂貴的。 S-IPS(Super IPS)擁有IPS技術的優點之外,又改善了畫素的更新時間。色再現性更接近CRTs,價格也降低,然而對比仍然十分不佳 ...
        瀏覽:1367
      • www.auo.com
        全球領先的薄膜電晶體液晶顯示器(TFT- LCD) 設計、研發及製造公司 ... 友達光電-全球光電解決方案領導廠商 友達光電原名為達碁科技,成立於1996年8月,2001年與聯友光電合併後更名為友達光電,2006年再度併購廣輝電子。
        瀏覽:828
    多晶矽薄膜電晶體的相關文章
    瀏覽:1402
    日期:2024-08-01
    在上篇文章半導體種類中,我們已大致介紹半導體的種類了,包括分離式半導體、光電半導體、積電電路(IC)等。這篇要討論的重點則是半導體產業從上游到下游到底在做些什麼。...
    瀏覽:925
    日期:2024-08-04
    和非晶矽TFT-LCD相比, LTPS不但色彩飽和度不相上下, LTPS ......
    瀏覽:328
    日期:2024-08-06
    3> 淺溝渠隔離(Shallow trench isolation, STI)是CMOS技術中的一個關鍵製程,用來隔離電晶體間電子的導通。儘管STI只是用作被動絕緣,當元件尺寸縮小時,其對電晶體特性的影響變成不可忽略。在文章中提出STI影響電晶體表現的兩個例子。首先探討STI對窄 ......
    瀏覽:872
    日期:2024-08-01
    10pt 3>因為新材料的引入,使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......
    瀏覽:722
    日期:2024-08-03
    半導體奈米元件與奈米技術 Semiconductor Nano-device and Nano-Technology 積體電路製程 ULSI Technology 薄膜電晶體(TFT)平面顯示器 TFT-LCD Display 半導體元件 ......
    瀏覽:979
    日期:2024-08-05
    奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志 家奈米元件實驗室 研究員 極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極 目前先進的250和180奈米CMOS電路技術,多以雙多晶(dual-poly)閘極取代傳統的單多晶(single-poly)閘極方式,主要是為了PMOS元件短通道 ......
    瀏覽:1203
    日期:2024-08-01
    兼任師資: 林時彥(Shin-Yen Lin)、施閔雄(Min-Hsiung Shih)、朱治偉(Chih-Wei Chu)、謝嘉民(Jia-Min Shieh)、程育人(Yuh-Jen Cheng)、孫家偉(Chia-Wei Sun) Top 研究方向: 太陽能、新型高效率LED、生醫感測技術 Top 太陽能: 因應未來石油、天然汽等儲量 ......
    瀏覽:954
    日期:2024-08-04
    始終以提昇客戶滿意度為宗旨,堅持生產高品質的產品及提供最合理的價格,且嚴守準時交貨,提供完善的售後服務。 光聯科技 發展液晶顯示器面板、液晶顯示器模組以及液晶顯示器訊息看板為主的產品,包含TN型、WTN型、STN型、WSTN型、FSTN型、WFSTN ......