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日期:2024-07-27
半導體製程設備 技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者 楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋 出版社別 五南 出版日期 ......
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日期:2024-07-22
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期:2024-07-27
電漿基礎原理. 2. 電漿的成分. • 電漿是由中性原子或分子、電子(-)和正電離. 子所構成 ... 非常活潑. • 增進化學反應速率. • 對蝕刻製程和CVD來說非常重要. 8. 電漿 蝕刻....
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日期:2024-07-26
本文先對電漿現象及原理作概述,再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異,而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%,近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛, 如 ......
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日期:2024-07-28
物理雙月刊(廿八卷二期)2006 年4 月 440 電漿源原理與應用之介紹 文/張家豪,魏鴻文,翁政輝,柳克強 李安平,寇崇善 吳敏文,曾錦清,蔡文發,鄭國川 摘要 電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程,成為現代科技的重要指標。...
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日期:2024-07-26
2013年4月12日 ... 電漿工程原理. 與應用. 詹德均. 核能研究所物理組. 1. 核能研究所物理組. TEL: 03-
4711400 ext.7440 mail: djjan@iner.gov.tw. Plasma Engineering ......
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日期:2024-07-22
電漿原理. 電漿態為物質除氣、液、固三態之外的第四態,主要是由一團帶正、負電荷 ... 在一個真空低壓系統的環境中,利用直流、交流、射頻電波或微波(microwave)的 ......
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日期:2024-07-27
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