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![感應耦合電漿離子蝕刻技術(I) Inductively Coupled Plasma Reactive ...]()
www.itrc.narl.org.tw2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的 非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ...瀏覽：668 -
![感應耦合電漿離子蝕刻技術(II) Inductively Coupled Plasma Reactive ...]()
www.itrc.narl.org.tw2005年12月21日 ... 感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻，Dry SCREAM 製程技術利用上述特性，只需一道黃光製程及接續的ICP 製程 ...瀏覽：1198
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日期：2024-07-09
建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈
為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF
......
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日期：2024-07-08
感應耦合式電漿蝕刻技術. 對氮化鎵的蝕刻研究. Study of Inductively Coupled
Plasma Etching on GaN. 指導教授：周武清博士. 研究生：林雅玲. 中華民國九十年六
月 ......
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日期：2024-07-09
由於半導體奈米線具有特殊之光電特性，可用來探討量子力學對材料性質的影響，同時在積體電路和光學的應用又極具潛力，因此各種不同合成方法不斷地被提出，並引起廣泛的重視。本實驗結合乾式蝕刻及氣-固-液相(vapor-liquid-solid, VLS)成長機制來製作矽 ......
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日期：2024-07-09
事實上，半導體設備商可以脈衝電漿和較低的偏壓頻率，降低深度負載效應。圖3顯示在2MHz固定偏壓功率的操作條件下，以連續波狀式電漿或脈衝電漿進行STI蝕刻的溝槽結構。採用高離子能量搭配較低偏壓頻率(2MHz)的作法，可減少單位晶胞內的 ......
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日期：2024-07-07
公司簡介 全球據點 品質政策 環安衛政策 專業認證 聯絡我們 化學生技 特殊光學 半導體 Ⅲ-Ⅴ族 LCD/ LED/ SOLAR/ DATA STORAGE 封裝測試 二手機台 一般、石化工業用PUMP 自有產品 3D列印 12吋晶圓再生及買賣 整場移機 /機台搬遷/機台翻新...
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日期：2024-07-11
圖2-5 電子迴旋共振式離子反應電漿蝕刻機結構示意圖………....20 .... 電漿技術. 並
討論本論文所使用之蝕刻技術之優缺點。...
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日期：2024-07-07
台灣法律網，劉孟錦律師主持，最專業的法律顧問網站，提供各種法律資訊及訴訟書狀、契約書、和解書、協議書、存證信函、離婚、遺囑等範例，為您解決各種律師諮詢與法律 ......
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日期：2024-07-13
反應離子刻蝕（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工
工藝，它利用由電漿體強化後的反應 ... 電漿體的濃度可達非常高，但是蝕刻會變得
更加各向同性。 一個平行板式和感應耦合電漿體式所組合而成的RIE也是可以實現的
。...
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