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日期:2024-11-05
第六卷第一期 電遷移效應對銅導線可靠度之影響 吳文發a、秦玉龍b a國家奈米元件實驗室、b國立交通大學電子所 1. 前言 由於積體電路生產成本與元件操作速度的考量,積體電路製作技術已邁入ULSI (ultralarge-scale integration),造成在後段金屬連線 ......
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日期:2024-10-30
電漿轉換電弧 3. 化學方法 化學蝕刻 脫脂 化成皮膜處理(如磷酸鹽皮膜) 無電鍍 溶膠-凝膠法 ... CVD) 化學氣相蒸鍍是一種熱化學製程,主要是運用含有欲蒸鍍材料的揮發性化合物氣體間的化學反應,使其生成物沉積於加熱的基材上。...
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日期:2024-11-02
Title 物理光學 Author Huang Last modified by 命題光碟 Created Date 2/10/2005 7:52:08 AM Document presentation format 如螢幕大小 Company My Company Other titles Arial 新細明體 標楷體 Times New Roman Wingdings Monotype Corsiva Gungsuh 預設簡報設計 ......
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日期:2024-11-05
3>電解沈積(electrodeposition)製程目前已經發展成可以實現在特徵(features)上,持續快速增加之由下而上(bottom-up)的銅成長,同時在電鍍製程開始時其高成核密度也能夠保護銅晶種(seed)的最薄區域[1-3],並在較小的特徵尺寸上利用改善後的晶種層的優點。這種 ......
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日期:2024-11-01
SMIC工程師教材下面分部門簡單介紹一下Fab的工種。轉貼一些辭彙表,免得到時候冒些個專有名詞大家不好理解: 1. Active Area 主動區(工作區) 主動電晶體(ACTIVE......
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日期:2024-11-03
原子層化學氣相沉積 (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD) 顧名思義,原子層化學氣相沉積 (ALCVD ) 是一種逐層沉積原子層級 厚度的薄膜沉積技術,ALCVD 利用氣體前驅物在基材表面進行選擇性化 學吸附反應時, 在達到單一飽和吸附層狀態後,即 ......
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日期:2024-10-29
銅製程之擴散阻障層. 吳文發1、黃麒峰2. 1國家奈米元件實驗室副研究員、2清華大學
材料研究所碩士班研究生. 前言. 積體電路的製作技術已邁入ULSI ......
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日期:2024-10-31
本研究主要探討氮氣電漿處理的鉭( Ta ). 擴散阻障層薄膜在銅製程上的熱穩定性,其
. 中分別以片電阻的變化、 X光的繞射分析、. 穿透式電子顯微鏡的觀察以及n+- p接 ......