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日期:2024-07-19
本書特色 ※以幽默的方式書寫科普的另類科普書。 ※打破科學是「公式+數字」的刻板印象。 ※以科學的視角出發,將嚴肅的科學知識化為通俗易懂的語言。 ※將嚴謹明晰的道理化為生動有趣的常識。...
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日期:2024-07-24
T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解:代入公式即可 ni=1.5×10. 10 個/cm3,雖不小,
但比起原子濃度5×1022 cm/. 3 則很小....
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日期:2024-07-21
某純矽半導體在溫度T=300K下,假設本質載子濃度1.5x10的10次方單位cm -3次方,
若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15次方單位cm -3 ... Mass-Action-Low的公式
呢就是下面這條公式...
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日期:2024-07-19
自由電子濃度(n) = 電洞濃度(p) = 本質濃度(n ... 低溫N型>高溫N型> 低溫P型>高溫P
型>高溫本質>低溫本質. ○ 高溫本質: ..... 公式整理 j j w. A. C. ⋅. = ε. ) 1. 1. (. 2. D. A
j j. N. N. V q w. +. = ε jo. D jo. V. V w. −....
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日期:2024-07-23
Example 1.1:T=300 °K求矽之本質載子濃度. 解:代入公式即可. ○結果為1.5×1010
cm-3,雖不小,但比起原子濃度5×1022 ......
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日期:2024-07-24
引述《kuanfu (黑暗騎士)》之銘言: : 書上提到本質半導體自由電子跟電洞濃度相等也
... 單純就公式而言也很好解釋啊!!!np=ni^2 N型摻雜施體使n大增故p就下降不知道
這樣說你懂不懂???不懂 ......
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日期:2024-07-17
熱平衡時的能帶及載子濃度. 2.1 半導體 .... 將其中的自由電子質量修正成mn(電子在
晶體中的有效質量),則以上之公式變為....
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日期:2024-07-24
干涉(光照、壓力、電磁場)時,本質半導體的電子載子濃度0 n 與電洞載子濃度0 p.
相同. 0. 0 pn. = ,且兩者乘積為一固定數值....