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  金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书
  
  金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ...
  
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金氧半導體 - 中華百科全書

日期：2024-07-22

金氧半結構是製造積體電路（IC）的基礎。做成的基體電路，主要單位是金氧半場效電晶體（MOSFET），也簡稱「金氧半」。金氧半場效電晶體有三只端點，分別為源極、汲 ......

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金屬氧化物半導體場效電晶體

日期：2024-07-23

金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體. （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可. 以廣泛使用在類比電路與數位電路 ......

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互補式金屬氧化物半導體- 维基百科，自由的百科全书

日期：2024-07-22

互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點， ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate ..... 取自“http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=互補式金屬氧化物半導體&oldid=30662626”....

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金屬氧化物半導體場效電晶體

日期：2024-07-21

MOSFET在概念上屬於「絕緣閘極場效電晶體」（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。 ..... 在功率電晶體（Power MOSFET）的領域裡，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣 ......

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互補式金屬氧化物半導體 - 電子工程專輯.

日期：2024-07-22

該份協議涵蓋互補式金屬氧化物半導體(CMOS)及絕緣層上矽晶(Silicon-on- Insulator，SOI)等技術，並採用 ......

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MOS (metal-oxide- semiconductor) - 清華大學物理系歡迎頁 Welcome to NTHU PHYS

日期：2024-07-25

Structure A basic MOS consisting of three layers. The top layer is a conductive metal electrode, the middle layer is an insulator of glass or silicon dioxide, and the bottom layer is another conductive electrode made out of crystal silicon. This layer is ...

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Metal Oxide - Semiconductor & Water, Non Metal Oxide | Chemistry@TutorVista.com

日期：2024-07-20

Below Point Explain about Transition Metal Oxide:-d-block elements are placed from group-3 to group-12 in periodic table. These all are metallic in nature and also known as transition metals. Since in these metals, the valence shell electrons are located ...

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