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![Indium gallium zinc oxide - Wikipedia, the free encyclopedia]()
en.wikipedia.orgIndium gallium zinc oxide (IGZO) is a semiconducting material, consisting of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O). IGZO thin-film transistor (TFT) is used in the TFT backplane of flat-panel displays (FPDs). IGZO-TFT was developed by Profess瀏覽：603 -
![To the Future...｜IGZO:SHARP]()
sharp-world.comAlways stable performance thanks to a unique crystal structure "IGZO" is a crystal of elements that were considered difficult to crystalize: indium, gallium, zinc and oxygen, and as such achieves a new atomic arrangement. This manufacturing secret makes f瀏覽：1250
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A doping process that deposits a conformal layer of material containing the desired dopant species and then uses a thermal process to drive the dopants to a controlled depth in the underlying circuit structures. CPD provides a means to dope complex, 3D st...
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公司 工廠/階段 最大 產能 2012 H1 2012 H2 2013 Q1 2013 Q2 2013 Q3 2013 Q4 京東方 大陸合肥B3(6代線)/4 10-2 5 5 10 10 大陸合肥B5(8代線)/1 45-----5 Sharp 日本龜山2(8代線)/1 20 20 22 22 22 22 22 日本龜山2(8代線)/2 20 5 22 22 22 22 22 日本龜山2(8代線)/3 20...
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2012年3月19日 ... Sony 索尼AMOLED 與IGZO 概念股一覽 ... 由於索尼在AMOLED與IGZO這類高階、
先進的面板技術持續領先，但沒有廠房生產大尺寸AMOLED ......
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日期：2024-07-25
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫，是一種薄膜電晶體技術，在
TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。IGZO技術由夏普(Shar. ... 一層金屬
氧化物。IGZO技術由夏普(Sharp)掌握，是與日本半導體能源研究所共同開發的產品
。...
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日期：2024-07-25
2012年3月29日 ... 鴻海藉由與夏普結盟，取得金屬氧化物半導體（IGZO）技術，打造十代廠，並為蘋果
iTV電視建立面板專線， ......
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日期：2024-07-22
2013年3月15日 ... 圖2 JST透明性氧化物半導體相關研究成果授權圖 ... 隨即任職於名古屋工業大學
擔任助手，1993年轉任至東京工業大學工業材料研究所助教授時，在金屬氧化物機能
性材料領域即樹立傑出的 ......
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日期：2024-07-20
2013年6月19日 ... 因應這個演進，氧化物半導體(Oxide Semiconductor；OS)成為這類材料的稱呼，以
突顯其半導體特性， ......
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日期：2024-07-20
2014年1月7日 ... 這種氧化物半導體薄膜電晶體技術，最早是由東京工業大學細野秀雄教授於2003年
所發表，原理是使用由銦(Indium；In)、鎵(Gallium；Ga)、鋅(Zinc；Zn)三種金屬的氧化
物所組合成的材料 ......
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