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ssttpro.acesuppliers.com2-2 大氣電漿設備原理[2] 氧氣經由電漿解離，會產生大量的自由基粒子(如下式)，這些自由基粒子會與碳氫化合物及表面的氧化物起反應，尤其其中的氧自由基容易與油性物質或與低分子有機物產生揮發性的產物，輕易的被鈍性氣體帶走。如 ...瀏覽：1402
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A doping process that deposits a conformal layer of material containing the desired dopant species and then uses a thermal process to drive the dopants to a controlled depth in the underlying circuit structures. CPD provides a means to dope complex, 3D st...
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日期：2024-07-23
BOE (京東方) BOE正積極擴大自己的產能，它是中國目前發展最激進的面板廠商。BOE成功地運用了中國各地政府提供的優惠政策來實現它的投資計畫。這就是為什麼BOE作為一個北京公司，卻能夠在中國各地，諸如北京、成都、合肥、鄂爾多斯和重慶蓋廠的原因。...
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日期：2024-07-27
2013年6月19日 ... 因應這個演進，氧化物半導體(Oxide Semiconductor；OS)成為這類材料的稱呼，以
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日期：2024-07-26
2013年9月2日 ... 氧化物半導體（oxide semiconductor）具有半導體特性的一類氧化物。氧化物 ... 等
常用於製造氣敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用於製造濕敏元件；SnO2膜用於
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日期：2024-07-26
1. Introduction Since the demonstration of flexible amorphous In–Ga–Zn–O (indium gallium zinc oxide, IGZO) thin-film transistors (TFTs) by Nomura et al. in 2004 [1], tremendous efforts have been made in amorphous oxide semiconductor (AOS) TFT device resea...
Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances - Fortunato - 2012 - Advanced
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日期：2024-07-24
How to Cite Fortunato, E., Barquinha, P. and Martins, R. (2012), Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances. ... Author Information CENIMAT/I3N, Departamento de Ciência dos Materiais, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT ......
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日期：2024-07-22
RFID, Printed and Organic Electronics Reports from IDTechEx: Metal Oxide TFT Backplanes for Displays 2013-2018: Analysis, Trends, Forecasts ... Critically, these new trends can only be sustained so long as the underlying technology can deliver the require...
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