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日期:2024-07-24
2012年8月14日 ... 細野2004年11月在著名學術期刊《Nature》上發表了題為“室溫下製作的高柔性透明
非晶氧化物半導體TFT”的論文,以非晶氧化物半導體——IGZO ......
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日期:2024-07-27
台日韓面板廠在Oxide TFT技術的研發腳步愈來愈快,不僅已突破材料與薄膜製程等
技術 ... 另外,透明氧化物半導體(Transparent Oxide Semiconductor)的研究亦 ......
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日期:2024-07-23
2011年8月24日 ... 日本科學技術振興機構(JST)2011年7月與南韓三星電子就使用氧化物半導體的「
IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT」技術專利簽署了授權協議。該技術基於東京 ......
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日期:2024-07-21
2010年1月28日 ... 在透明非結晶氧化物半導體國際會議「TAOS 2010」首日于主題演講會之後舉行的「
FPD I」研討會上,代表日本和南韓的3家FPD企業分別發佈了透明 ......
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日期:2024-07-27
2011年8月24日 ... 該技術基於東京工業大學應用陶瓷研究所教授細野秀雄的研究小組1995年開始開發
的「透明氧化物半導體(TAOS)」(圖1)。 IGZO TFT是實現具有超 ......
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日期:2024-07-23
雖然夏普的氧化物半導體TFT LCD面板並不像AMOLED 面板般輕薄,但生產成本卻
可以控制在與一般TFT LCD相近的程度,且未來大尺寸OLED 面板也會採用氧化物 ......
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日期:2024-07-26
2013年6月19日 ... IGZO是由銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)和氧(O)構成的氧化物半導體In-Ga-Zn-O的簡稱。
夏普於2012年4月在業界率先開始全面量產采用IGZO TFT( ......
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日期:2024-07-22
作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体
TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及电子纸等新
......