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日期:2024-08-19
目錄. 一. 前言. 二. 常見搭載ESD 防護元件的匹配技術. 三. 新式匹配技術與多晶矽二
極體防護元件之搭配. 四. 於2.4-GHz LNA 之應用實現. 五. 測試結果. 六. 總結 ......
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日期:2024-08-21
寄生元件(英語:parasitic element)是電路中電子元件(如電阻、電容及電感)產生的
附加元件,而且多半不是設計時想要的。...
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日期:2024-08-21
能減少寄生電容 ,並「延伸」感測的區域。 應注意近距感測天線與週圍金屬機殼或其他金屬外殼之間的距離,要盡量拉大,讓寄生耦合能減至小。 圖四顯示一個在10公分外以手指或手部接近近距感測天線,所形成的電場分佈。左圖顯示當近距感 ......
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日期:2024-08-21
... 建立、導線連接與極板伸出,以進行平衡導線的繞線長度與電容導線上相對應的via個數和減少由於交錯或重疊的寄生電容。對於多個特定電容所組成的電容陣列此繞線也能自動化實現完成。...
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日期:2024-08-23
這將大幅減少寄生電容和寄生電感對驅動器輸出的影響。從元件接腳到串聯端接電阻的距離不應該超過0.5英吋(見圖4)。圖5是作為多媒體設備中作為輸出驅動器的視訊濾波器/驅動器的典型原理示意圖。...
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日期:2024-08-21
NexFET可達到類似於Trench技術的特定通導電阻,但是相關的寄生電容減少約50%。NexFET裝置採用橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS),並結合垂直電流達到高電流密度。仔細查看結構(圖1) ......
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日期:2024-08-22
... 像素電容的電位會與閘極水平脈波變化做同方向的漂移。實驗結果顯示,U型結構的TFT在減少寄生電容Cgs 有較佳的表現。 實驗結果也顯示,T型結構的TFT可以降低通道電場的強度,達到抑制漏電流的目的,LCD畫面閃爍及串音現象(crosstalk)則因此可被改善 ......
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日期:2024-08-26
... 極電容,模擬閘極和漏極與 PCB 之間耦合的寄生電容。設計人員在佈線時應特別注意,盡量減少此類的寄生電容,才能確保 MOSFET 的最高效能。在此一測量中,190m? 裝置採用 5? 的外部 R G ......