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日期:2024-07-11
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数 ......
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日期:2024-07-06
10pt 3>因為新材料的引入,使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......
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日期:2024-07-07
Theory and experimental measurement of work function for electrons in doped silicon surfaces are presented in the article. Definitions of work function and of t....
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日期:2024-07-05
矽新科技成立於1995年,主要從事分光光度計、可見光分光光度計零組件銷售;實驗室用蠕動泵浦、工業用蠕動泵浦、蠕動泵浦軟管、蠕動泵浦零配件銷售;農藥殘留檢測、快速農藥檢測便利包、快速農藥檢測試片販售…等各式專業服務...
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日期:2024-07-08
MOSFET資料表一般根據優先順序顯示單次電壓測量時的輸出電容。雖然這些參數值已足以與過去的產品進行比較,但要在當今的元件中使用這些值,就有些不合適了。因此目前需要性能更好的產品電容。 MOSFET的輸出電容與電壓...
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日期:2024-07-07
功函数(又称功函、逸出功,英语:Work function)是指要使一粒电子立即从固体表面
中逸出,所必须提供的最小能量(通常以电子伏特为单位)。这里“立即”一词表示最终
......
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日期:2024-07-06
二、有一陡接面(abrupt junction)的矽p-n 二極體,p 型的濃度為Na =2×1016 cm−3
... C,Vt =kT/q= 0.0259 V,Metal 的功函數qΦm = 4.75 eV,Si 的電子親和力....
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日期:2024-07-09
為克服以上問題,多晶矽閘極與二氧化矽介電層需以金屬閘極與高介電常數材料取代
之。本研究主要探討鎢-矽薄膜(W1-xSix)閘極電極中矽含量的改變對其功函數的 ......