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日期:2024-08-17
碳化矽是一種超越矽晶的半導體材料,目前仍沒有生產用的晶圓。常用的矽 ... 矽底
碳化矽也可轉變成鑽石底碳化矽,使積體電路或LED的性能更 .... 碳化矽的熔點約為....
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日期:2024-08-23
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。 ...
碳化硅与二氧化硅的熔点比较碳化硅俗名金刚砂,化学式SiC,无色晶体,含杂质时呈 ......
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日期:2024-08-17
直管式碳化矽陶瓷輻射管自1985 年開始實際應用於高溫爐之輻射加熱。 ... 問題有待
解決,如矽注入碳化材料因矽而導致材料的熔點降低(1420℃)、對排氣的抗氧化性 ......
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日期:2024-08-18
15,755条结果 ... SiC的熔点是多少? 答:碳化硅的晶体结构和金刚石相近,属于原子晶体,它的熔点
高(2827℃),硬度近似于金刚石,故又称为金刚砂。 2009-03-23 回答 ......
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日期:2024-08-21
Keyword: 碳化矽. E-mail: jch@mx.nthu.edu.tw. Phone: (03)5722577, Fax: (03)
5722577. 網站連結: http://mse.nthu.edu.tw/~jch/. 技術. 內容. 碳化矽具有高熔點、寬
......
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日期:2024-08-19
2008年1月18日 ... 而傳統奈米碳化矽(np-SiC)製作及成長方式如:雷射熱解的奈米顆粒 ... 由矽、碳與
碳化矽在熔點上的比較,可以發現此三者在結構上穩定性的差別, ......
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日期:2024-08-22
In reality SiC's melting point is more than 2000 degrees C and LiF is 870 degrees
C., Topics: Chemistry, Tags: carborundum, chemistry, lithium fluoride, Science, ......
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日期:2024-08-17
碳化矽陶瓷粉體是一種灰綠色粉末,其化學分子式為:SiC ,分子重量40.10 ,密度3.2
g/cm 3,熔點2973℃,熱膨脹係數2.98×10 - 6 K -1。碳化矽陶瓷粉體純度高、粒度 ......