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www.science.ncku.edu.tw在本研究中，我們討論表面電漿子對金奈米結構螢光閃爍效應之影響。我們使用不同尺寸海膽形狀金奈米粒子改變表面電漿子共振強度，以產生不同的電偏壓，改變螢光閃爍效應之反應活化能量。我們發現表面電漿共振產生之強電磁場可使螢光閃爍中亮的 ...瀏覽：709
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利用多重表面電漿共振增強紅外光光譜(2012/10/19). 美國研究人員第一次成功利用多重表面電漿共振(multiple plasmonic resonance)的方法，來增強材料在不同吸收 ......
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日期：2024-07-21
盧向成(Lu, Shiang-Cheng) 教授 國立清華大學電機工程學系暨電子工程研究所 Professor , Department of Electrical Engineering & Institute of Electronic ... Brief CV: Dr. Shiang-Cheng Lu received the B.S. and M.S. degrees in Power Mechanical Engineering from ......
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日期：2024-07-17
1 國立台灣師範大學、2 國家奈米元件實驗室. 摘要. 將P型穿隧式場效電晶體（TFETs ）分別製作於（100）（110）方向矽基板之上並量測與研. 究其電性，利用High-k介電 ......
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日期：2024-07-19
子佈植形成PIN 結構，進而實作出奈米線穿隧式場效電晶體。因此於變溫的電流. - 電壓曲線、次臨限斜率-溫度曲線以及導通電流-溫度曲線進行電性分析。...
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日期：2024-07-16
本論文整合一維複晶矽奈米線與PIN結構於一體，實作出奈米線穿隧式場效電晶體。 期望能有效地改善金氧半場效電晶體的短通道效應、次臨限斜率與靜態漏電流。...
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日期：2024-07-16
資料識別：: A11027051; 資料類型：: 期刊論文; 著作者：: 高證穎曾偉寧沈正都羅廣禮李敏鴻; 主題與關鍵字：: 方向穿隧次臨界擺幅Orientation Tunneling Subthreshold ......
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2004年12月23日 - 日前在美國舊金山舉行的2004年IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，英飛凌科技( Infineon Technologies)的科學家宣讀了幾份論文，展示了他們的 ......
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In the last few years, a new transistor design—the tunnel FET, or TFET—has been gaining momentum. Unlike the MOSFET, which works by raising or lowering ......
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