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![材料世界網:超低耗電穿隧式電晶體]()
www.materialsnet.com.tw2015年1月16日 ... 東京大學開發出超低耗電穿隧式電晶體( Tunnel FET )，新元件採用一般橫型構造， 以適合目前集積電路製程的材料製作，高濃度Ge 作為Source ...瀏覽：849 -
![超低耗電穿隧式電晶體 - 材料世界網]()
www.materialsnet.com.tw2015年1月16日 ... 東京大學開發出超低耗電穿隧式電晶體( Tunnel FET )，新元件採用一般橫型構造， 以適合目前集積電路製程的材料製作，高濃度Ge 作為Source 領域 ...瀏覽：700
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瀏覽：846
日期：2024-08-24
利用量子特性來製造奈米電晶體目前有兩個做法：第一種為穿隧式單電子電晶體，它
主要結構兩個穿隧接面包住一個奈米點而成，其工作原理則是利用奈米點的有限能 ......
瀏覽：383
日期：2024-08-20
自從1947年電晶體被發明以後，電晶體製作的技術便不斷的被改進，在幾. 十年間從
早期的 ... 應中的穿隧(tunneling)來控制並量測單一電子。單電子電晶體的特性是與 ......
瀏覽：654
日期：2024-08-22
Title: 多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究. Other Titles: Investigation of
electrical characteristics for multi gate tunneling-carbon nanotube field effect ......
瀏覽：1305
日期：2024-08-23
子佈植形成PIN 結構，進而實作出奈米線穿隧式場效電晶體。因此於變溫的電流 ......
奈米線穿隧式電晶體的結構設計與製程考量. 奈米線穿隧式場效電晶體與傳統的塊 ......
瀏覽：1388
日期：2024-08-20
此論文以模擬方式，提出一種非對稱閘極的穿隧式電晶體(AG-TFET)，其源極是由包.
覆式閘極(Gate-all-around) 控制，而汲極是由平面式閘極所控制。由於包覆式閘極....
瀏覽：785
日期：2024-08-21
隧電晶體[6] 比傳統穿隧場效電晶體更具優良的開關及電. 流特性[7]。 ... 可從式(1) 看
出電場與次臨界擺幅(SS) ... 如圖2所示，矽基板上之磊晶鍺的橫截面穿透式電....
瀏覽：607
日期：2024-08-26
第三篇為吳永俊教授研究小組所撰寫的關於一篇穿隧電晶體的論文，題目為"利用非
對稱閘極之不同遮蔽長度來提升奈米線穿隧式電晶體效能"，他們創新性地提出了 ......
瀏覽：760
日期：2024-08-23
隧電晶體[6] 比傳統穿隧場效電晶體更具優良的開關及電. 流特性[7]。 ... 可從式(1) 看
出電場與次臨界擺幅(SS) ... 如圖2所示，矽基板上之磊晶鍺的橫截面穿透式電....
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