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日期:2024-08-24
利用量子特性來製造奈米電晶體目前有兩個做法:第一種為穿隧式單電子電晶體,它
主要結構兩個穿隧接面包住一個奈米點而成,其工作原理則是利用奈米點的有限能 ......
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日期:2024-08-20
自從1947年電晶體被發明以後,電晶體製作的技術便不斷的被改進,在幾. 十年間從
早期的 ... 應中的穿隧(tunneling)來控制並量測單一電子。單電子電晶體的特性是與 ......
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日期:2024-08-22
Title: 多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究. Other Titles: Investigation of
electrical characteristics for multi gate tunneling-carbon nanotube field effect ......
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日期:2024-08-23
子佈植形成PIN 結構,進而實作出奈米線穿隧式場效電晶體。因此於變溫的電流 ......
奈米線穿隧式電晶體的結構設計與製程考量. 奈米線穿隧式場效電晶體與傳統的塊 ......
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日期:2024-08-20
此論文以模擬方式,提出一種非對稱閘極的穿隧式電晶體(AG-TFET),其源極是由包.
覆式閘極(Gate-all-around) 控制,而汲極是由平面式閘極所控制。由於包覆式閘極....
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日期:2024-08-21
隧電晶體[6] 比傳統穿隧場效電晶體更具優良的開關及電. 流特性[7]。 ... 可從式(1) 看
出電場與次臨界擺幅(SS) ... 如圖2所示,矽基板上之磊晶鍺的橫截面穿透式電....
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日期:2024-08-26
第三篇為吳永俊教授研究小組所撰寫的關於一篇穿隧電晶體的論文,題目為"利用非
對稱閘極之不同遮蔽長度來提升奈米線穿隧式電晶體效能",他們創新性地提出了 ......
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日期:2024-08-23
隧電晶體[6] 比傳統穿隧場效電晶體更具優良的開關及電. 流特性[7]。 ... 可從式(1) 看
出電場與次臨界擺幅(SS) ... 如圖2所示,矽基板上之磊晶鍺的橫截面穿透式電....