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![蘇彬(Pin Su) - 國立交通大學電子工程學系 | NCTUEE]()
www.ee.nctu.edu.tw蘇彬(Pin Su) Office: ED531; Tel: 886-3-5712121 ext.54142 E-mail: pinsu@faculty.nctu.edu.tw 學經歷 美國加州柏克萊大學電機工程博士 國立交通大學電子工程學系教授 研究方向 Silicon-Based Nanoelectronics (e.g. Random Variabilities and Quantum ...瀏覽：1425 -
![材料世界網:超低耗電穿隧式電晶體]()
www.materialsnet.com.tw2015年1月16日 ... 東京大學開發出超低耗電穿隧式電晶體( Tunnel FET )，新元件採用一般橫型構造， 以適合目前集積電路製程的材料製作，高濃度Ge 作為Source ...瀏覽：932
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日期：2024-08-24
自從1947年電晶體被發明以後，電晶體製作的技術便不斷的被改進，在幾. 十年間從
早期的 ... 應中的穿隧(tunneling)來控制並量測單一電子。單電子電晶體的特性是與 ......
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日期：2024-08-26
Title: 多閘極穿隧式奈米碳管場效電晶體之電性研究. Other Titles: Investigation of
electrical characteristics for multi gate tunneling-carbon nanotube field effect ......
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日期：2024-08-24
子佈植形成PIN 結構，進而實作出奈米線穿隧式場效電晶體。因此於變溫的電流 ......
奈米線穿隧式電晶體的結構設計與製程考量. 奈米線穿隧式場效電晶體與傳統的塊 ......
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日期：2024-08-19
隧電晶體[6] 比傳統穿隧場效電晶體更具優良的開關及電. 流特性[7]。 ... 可從式(1) 看
出電場與次臨界擺幅(SS) ... 如圖2所示，矽基板上之磊晶鍺的橫截面穿透式電....
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日期：2024-08-23
1 國立台灣師範大學、2 國家奈米元件實驗室. 摘要. 將P型穿隧式場效電晶體（TFETs
）分別製作於（100）（110）方向矽基板之上並量測與研. 究其電性，利用High-k介電 ......
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日期：2024-08-26
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在
半導體 ... 具高介電係數與二氧化矽閘極介電層推疊結構金氧半電晶體直接穿隧電流
之 ......
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日期：2024-08-23
這數字僅提供一個數量級，實際上要有明顯的看到單電子電晶體的特性，穿隧電阻最
好要高於100k。穿隧電阻太低，RC時間太短，而會模糊SET的特性曲線。實際上 ......
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