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日期:2024-11-11
金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是 ......
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日期:2024-11-15
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電晶體(field effect transistor, FET)。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面,電訊號控制
......
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日期:2024-11-15
電晶體的主要分類,除了雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,. BJT)之外
,還有 ... 控制閘為接面型的接面場效電晶體(Junction FET,JFET)。 無論何種FET ......
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日期:2024-11-13
金氧半二極體、電晶體及其電性討論. Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件.
MOSFET. 為一四端元件,。 由一個MOS二極 ......
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日期:2024-11-18
“電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目: 基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。 計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。 由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ......
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日期:2024-11-11
因為作業急需知道以下問題 臨界電壓(threshold voltage )的穩定範圍??現在業界所用的片電阻值?用VGS和IDS計算活化能的 ......
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日期:2024-11-18
補償有機發光二極體衰減與薄膜電晶體 臨界電壓 漂移之新式畫素電路設計 林志隆助理教授 國立成功大學電機工程系 ... ......
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日期:2024-11-14
Threshold Voltage在電源IC使用非常廣,說穿了它只是在設計IC時當輸入 電壓高於或低於某個 電壓時IC該做什麼樣的事,我們稱那個 ......