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![家庭RO純水機手動使用說明書]()
www.waterinfor.com2009年8月13日 - 第四道R.O.膜：為0.0001μm超微小的孔徑，以逆滲透原理，將水中所含 ... 圖一RO主機安裝與零件佈置圖, 圖二RO主機俯視圖, 圖三RO製水流程圖 ...瀏覽：940 -
![半導體濕式清洗製程臭氧水安全風險考量 - 半導體科技]()
ssttpro.acesuppliers.com臭氧監控：為有效控制臭氧濃度，避免臭氧濃度過高，臭氧產生器系統內應設置一濃度監控設備，監控原理系依照比爾-蘭伯特定律(Beer Lambert law)，並以線上 ...瀏覽：1442
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日期：2024-07-29
半導體製程污染源. • 微粒. – 來源：機器、包圍的空氣、氣體、 ... 可抑制金. 屬污染物
逆向吸著。 • 可利用超音波提高洗淨效果。...
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日期：2024-07-27
「Bamboo Generator… 摘要: 本文針對新開發成功的200ppm 以上超. 高灆度臭氧水製造設備的特點做—報導說. 明' 臭氧水的應用可以取代傳統的硫酸雙. 氧水清洗晶 ......
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日期：2024-08-02
SHADEN 臭氧水生成器(水龍頭專用) We688 - 淨水器-水龍頭型, SHADEN 臭氧水
生成器(水龍頭專用) We688....
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日期：2024-07-27
以臭氧超純水清洗晶圓表面之簡介及應用. 鄧宗禹、蔡明蒔. 毫微米元件實驗室. 一、前言. 超大型積體電路(VLSI, ULSI) 發展之關. 鍵製程需求之一為超純水之潔淨效果。...
![[技術專文] 半導體濕式清洗製程臭氧水安全風險考量- 《半導體 ...](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_02.jpeg)
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日期：2024-07-31
隨著半導體製程技術演進，由以往0.18微米至現今90奈米線寬，晶圓表面之污染物控制更為嚴苛，於晶圓清洗後要求於其表面快速形成氧化層，目前以高濃度臭氧水溼 ......
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日期：2024-07-26
"鄧宗禹、蔡明蒔/國家毫微米元件實驗室副研究員 超大型積體電路(VLSI，ULSI)發展之關鍵製程需求之一為超純水之潔淨效果。晶圓製程的每個步驟，包括蝕刻、氧化、 ......
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日期：2024-08-02
有此一說：最近常看到許多的廣告，說明用臭氧機清洗蔬果可以去除農殘留， 可以去除自來水的氯， ... 國病人接受臭氧治療時，可透過不同方法，包括直接飲用臭氧水....
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