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日期:2024-08-01
專利名稱 專利地區 專利編號 蕭特基二極體結構及其製造方法 R.O.C I226709 具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體 R.O.C I234289 蕭特基二極體及其製造方法 R.O.C I237901 蕭特基阻障二極體及其製造方法 R.O.C I263344...
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日期:2024-08-01
因此,電子模組開發商須選用高擊穿電壓的蕭特基二極體作為保護電路,以防止意外發生。 新通訊首頁 ... 極性接反的條件下消耗部分能量,並在擊穿電壓和正向壓降之間取得平衡,這涉及重複峰值崩潰功率PARM參數。...
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日期:2024-08-01
蕭特基二極體的崩潰電壓 受元件邊緣長度的增加而減少,當元件 長度每增加一個µm 會減少約0.08V 的崩潰電壓,元件崩潰電壓被減 少,是因為GaN 本身的材料缺陷所造成;崩潰電壓也隨著溫度的增 ......
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日期:2024-08-02
本篇論文針對蕭特基二極體以0.35um和0.25um BCD製成設計做討論。我們使用了2D模擬軟體去分析其元件特性,以提升蕭特基二極體的崩潰電壓,及改善導通電阻與漏電流之間的取捨為目標。除了2D模擬軟體提供我們由元件的橫截面上設計蕭特基二體外,3D軟體 ......
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日期:2024-08-01
因此,電子模組開發商須選用高擊穿電壓的蕭特基二極體作為保護電路,以防止意外發生。 新通訊首頁 ... ,而本文證明選用一個擊穿電壓100V的蕭特基二極體的電子模組,保護電路可通過負脈衝1崩潰測試(從1個2A蕭特基二極體開始測試) ,從而在 ......
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日期:2024-07-29
超過 15 筆 - UKAS. 專利認證. 專利名稱, 專利地區, 專利編號....
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日期:2024-08-04
某些採用特殊製程的蕭特基二極體,在極性接反的條件下消耗部分能量,並在擊穿電壓和正向壓降之間取得平衡,這涉及重複峰值崩潰功率PARM參數。...