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![薄膜電晶體實驗室]()
sclee.ee.ntu.edu.tw薄膜電晶體實驗室（TFT Laboratory）是台灣大學電子工程學研究所奈米電子組（ Solid-State ... 的計算，對非晶矽（碳）氫合金內之矽氫（Si-H）及碳氫鍵的微觀結構 提出模型，認為位於紅外線吸收 ...瀏覽：803 -
![有機薄膜電晶體概論]()
fpdlab.ieo.nctu.edu.tw目的，過去十年以來，薄膜電晶體的材料都以無機材料為主，主要原因就是有機. 半導體材質的載子移動率(Mobility)相對於 ...瀏覽：1135
薄膜電晶體發展的相關文章
薄膜電晶體發展的相關公司資訊
瀏覽：849
日期：2024-07-13
摘要：本文探討有機薄膜電晶體材料近期發展概況並研究苯駢咪唑衍生物之合成、
分子結構特徵研究及應. 用此新化合物作為 ......
瀏覽：712
日期：2024-07-09
過往由於受限於載子遷移率過低，有機薄膜電晶體的發展並未能夠取代傳統無機薄膜
電晶體的製程，不過隨著. 近年來有機 ......
瀏覽：525
日期：2024-07-12
結合超薄氧化矽鉿（HfSiOx）及金屬閘極（TiN）之多晶矽薄膜電晶體，其次臨界擺幅可
達. 193 mV/dec，其製程溫度最高為700 ˚C，適合應用於單片式三維積體電路（
Monolithic 3D-IC）. 及Silicon-on-Glass（SOG） ......
瀏覽：330
日期：2024-07-14
多晶矽鍺閘極技術 矽鍺(SiGe)薄膜沉積是近年來非常重要的一項新興技術。由於矽和鍺的晶格常數相差約4%，所以要將矽鍺薄膜磊晶成長(epitaxy)在矽基板上不是一件容易的事，早期由於製程溫度太高(>900 )，易引發矽鍺薄膜中的形變能量 ......
瀏覽：1136
日期：2024-07-10
2011年12月22日 ... 友達光電智權長／副總經理暨台灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會(TTLA)主任 ...
International 2011)中，為與會人士揭櫫最新平面顯示器發展趨勢。...
瀏覽：1083
日期：2024-07-10
中文摘要, 隨著顯示器尺寸發展越來越大，對於薄膜電晶體的載子遷移率的要求也 ...
本研究利用有高介電常數的氧化鎂及氧化鉿薄膜做為氧化鋅薄膜電晶體的介電層 ......
瀏覽：880
日期：2024-07-13
中文全銜, 中華民國台灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會. 英文全銜 ... 宗旨, 以匯聚
產業發展共識，促成會員間之合作與國際合作，以促進產業繁榮進步為目的。 任務 ......
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