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日期:2024-12-17
曝光原理 曝光製程 曝光光源系統 手動曝光機 自動曝光機 ... 高啟清博士 Charles Kao, Ph.D Tel: 02-2601-0700 Mobile: 0939-268-725 cckao@csun.com.tw V2.1 2007/4/10 課程綱要 多層板曝光製程 內層曝光顯影蝕刻 內層壓膜曝光設備 外層曝光電鍍蝕刻 外層曝光 ......
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日期:2024-12-17
曝光原理 曝光製程 曝光光源系統 手動曝光機 自動曝光機 ... 高啟清博士 Charles Kao, Ph.D Tel: 02-2601-0700 Mobile: 0939-268-725 cckao@csun.com.tw V2.1 2007/4/10 課程綱要 多層板製程 曝光製程 光阻曝光原理 曝光光源系統 曝光量測 多層板製程 多層板 ......
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日期:2024-12-16
HCBOND HCBOND 內層黑棕化取代製程 HCBOND 之應用範圍 HCBOND 多層板內層氧化處理 均勻之棕色外觀 表面附著有機層以提高表面附著力 良好之抗酸能力 HCBOND 製 程 特 色 : ( 與傳統黑棕化比較 ) HCBOND (棕化) 黑 化 均勻性 , 黑棕色 ......
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日期:2024-12-18
微影技術II-蝕刻 微影技術的後半部,將光罩底膜的光阻進行蝕刻,以及進行灰化製程將不要的光阻去除。 微影技術II包含對光罩下的光阻進行蝕刻和光阻去除。雖然也有不使用光罩,進行全面蝕刻的方式,但不包括在微影技術的範圍內。...
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日期:2024-12-19
藍/綠光LED晶粒製造流程 1 week 3 weeks 基板 磊晶 鍍膜 黃光 蝕刻 全切 檢測 Sorting 目檢 磊晶片 磊晶片 藍寶石基板(Al 2 O 3) N電極 N-cladding P-cladding p-GaN ITO P電極 TCL contact layer (材質眾多) ITO(晶電專利) n-GaN 磊 晶 製 程 回上頁 投線...
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日期:2024-12-18
6 National Nano Device Laboratories Create for the future 污染物對半導體元件電性的影響 1.塵粒(Particle) 在元件的製作過程中,塵粒主要的問題是對光罩(mask)的影響。在 每一製程成相之前,有塵粒附著在晶圓上時,會造成局部區域無法依原...
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日期:2024-12-21
清洗技術 半導體元件的製造上,清洗的目的是為了去除基板表面的各種污染。 製造製程中,污染的發生可分為兩種,一在晶圓的處理過程 ( 搬運及保管 ) 中發生,另一則在製程過程中發生。 如表歸納製程的種類,污染的種類,以及要以何種清洗去除 ......
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日期:2024-12-15
工作條件 接受身份: 上班族 工作經歷: 3年以上 學歷要求: 大學、碩士 科系要求: 工程學科類、材料工程相關、化學工程相關 語文條件: 英文-- 聽 /精通、說 /精通、讀 /精通、寫 /精通 擅長工具: Excel 、Outlook 、PowerPoint 、Word...