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![半導體製程及原理]()
www2.nsysu.edu.tw半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...瀏覽：1436 -
![工業機械電氣安全(EN 60204-1)要求重點]()
www.mcitech.com.tw... 要求與建議，以提高人員財產的安全及控制反應的一致性和容易維修。在本標準(EN 60204-1)的要求下，製造商應隨著電氣設備 ... - EN 292-1：機械安全標準基本觀念及一般設計 ... - EN 953：機械安全-護罩(固定的/可動的)的設計及構造之一般規範。C、型標準(機器安全標準)瀏覽：1329
複數電極的電容結構與製程的相關文章
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日期：2024-07-06
觸控面板玻璃介紹 製程簡介 電阻式： 電阻式觸控面板主要組成包含上下兩組ITO導電層、間隙物及電極。先以ITO玻璃為基板，上面疊合一層ITO Film，中間散佈間隙物支撐，使上下板不會因距離過於貼近而意外導通，邊緣再印上銀電極以提供外接電源。...
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日期：2024-07-12
1 半導體製程 高介電（High K）材料的介紹 江長凌 林煥祐 朱智謙 台灣大學化研所 隨著電子產品的高功能化需求，以及訊號傳輸的高速高頻化，被動元件與主動元件 ......
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日期：2024-07-09
2014年台灣觸控面板產業三大趨勢 2014年03月12日 NPD DisplaySearch 台北辦公室，2013 年 3 月 12 日--2013年時台灣觸控面板產業經歷了相當嚴酷的考驗，除了因為Apple更換觸控感應線路結構外（in-cell與GF2），面對中國大陸廠商的低價競爭，以及 ......
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日期：2024-07-09
10pt 3>當傳統的Poly/SiON閘極堆疊已無法符合需求時，導入新的閘極堆疊材料（高介電係數介電層與金屬閘極）使得摩爾定律能夠繼續在45/32奈米製程延續下去。不同的製程（一般而言，分為閘極先製與閘極後製製程）也被提出來搭配這些新的閘極堆疊材料。...
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日期：2024-07-09
所以電容器的容量與金屬片的面積成正比，但是與兩金屬片之間的距離成反比，並且與金屬片之間的絕緣介電質(dielectric)常數有關。電容可以用下面的公式表下： C = εA / L (A:金屬片的電及面積；L:金屬片電極間的距離；ε:電極間絕緣物的介電常數)。...
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日期：2024-07-10
現有LED 封裝缺點 而目前主要的發光二極體依其後段封裝結構與製程的不同分為下列幾類： LED Lamp：其係將發光二極體晶片先行固定於具接腳之支架上，再打線及膠體封裝，其使用係將LED 燈的 接腳插設焊固於預設電路的電路基板上，完成其LED燈的光源 ......
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日期：2024-07-07
以豐田汽車(Toyota)所製造的偏航速率加速度感應器來說，晶片呈水平安置，因驅動電極產生的兩個靜電力左右音叉振動，位於晶片左右兩端的配重會由於科里奧利力(Coriolis Force)(註)前後差動振動，此時使用檢測電極檢測靜電容量便可得知偏航速率。...
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