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日期:2024-07-12
今國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL) 領先全球,開發出全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞,容量比現行快閃記憶體增加約20倍,耗電量則 ......
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日期:2024-07-13
可變電阻式記憶體(英语:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或
ReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體
, ......
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日期:2024-07-15
作者: 張文淵 作者(外文): Wen-Yuan Chang 論文名稱: 以LaNiO3底電極開發(Pr,Ca)MnO3非揮發性 電阻記憶體特性之研究 ......
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日期:2024-07-14
憶阻器 类型 被動 工作原理 憶阻 发明 蔡少棠(1971) 投产年 HP Labs (2008) 电路符号 憶阻器(英语:memristor /ˈmɛmrɨstər/),又名 ......
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日期:2024-07-15
憶阻器又被稱為 記憶電阻,是一種具有 記憶能力的 電阻,即使沒有外在電源,仍然可以長期保留電壓的資訊 ... 憶阻器是一種具有 ......
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日期:2024-07-17
北方網IT浪潮 ... 惠普公司今天宣布,其研發部門已經證實了電路世界中的第四種基本元件: 記憶電阻 ......
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日期:2024-07-17
堪稱為第四元件的 memristor( 記憶電阻)已經證實可以製造出來了!這個有 記憶能力的 電阻,可能將取代 DRAM 這個電腦最重要的 ......
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日期:2024-07-18
由澳門基金會贊助,澳門科技大學舉辦的《科技大師系列講座XV》第六講邀請到中國科學院院士、超導電子學家吳培亨先生進行《 ......