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tw.tool-tool.com術語資料庫合併(970630) OLE_LINK1 umbelliferone unattackable electrode lone pair electrons lone (electron) pair regeneration level molar heat of solution molar heat of vaporization molar heat; molecular heat phosphorescence spectrum phosphorescent paint瀏覽：351 -
![Chapter 9 蝕刻]()
www.isu.edu.tw負載效應:巨觀. • 具較大開口面積的晶圓和具較小開口面. 積的晶圓，其晶圓對晶圓的蝕刻速率是. 不同的. • 主要影響批量蝕刻製程. • 對單晶圓製程影響不大 ...瀏覽：1215
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日期：2024-07-13
其中又可分為對遮罩物質的選擇比及對待蝕刻物質下層物質的選擇比。負載效應就是當被蝕刻材質裸露在反應氣體電漿或溶液時，面積較大者蝕刻速率較面積較小者為 ......
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日期：2024-07-12
廣義而言，所謂的蝕刻技術，包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部份去除的 ... 負載效應就是當被蝕刻材質裸露在反應氣體電漿或溶液時，面積較大者蝕刻速率較 ......
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日期：2024-07-10
蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以 ..... 面積越小，此現象越嚴重，亦即所謂的微負載效應(Micro loading Effect)。除此之外，如何 ......
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日期：2024-07-07
外加BIAS偏壓愈高，物理性蝕刻的效應也就愈強，導. 致蝕刻速率也跟著提高。 ...... 會不容易將殘餘物移除，並且會有微觀負載效應(較小孔徑. 蝕刻率會比大的孔徑蝕刻 ......
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日期：2024-07-11
氣體比例、Ar 氣體流量、製程壓力，來控制關鍵尺寸(CD)，以避免. 微負載效應( Microloading Effect)。 關鍵詞：半導體製程，蝕刻製程，二氧化矽，硬式遮蔽層。...
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日期：2024-07-09
2011年6月11日 - 然而这种负载效应影响到干刻蚀的蚀刻率(Etch Rate)和选择比(Selectivity)而在产品上出现严重的缺陷。本文阐述了负载效应的基本原理和造成选择 ......
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日期：2024-07-07
Abstract. The dependence of etch rate on the quantity of material being etched, often referred to as the loading effect, for plasma etching is analyzed ......
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日期：2024-07-10
Loading effects in deep silicon etching. Jani Karttunen*a, Jyrki Kiihamäkia, Sami Franssilab. aVTT Electronics, P.O.B 1101, FIN-02044 VTT, Finland. bHelsinki ......
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