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ndltd.ncl.edu.tw本論文主在探討增強型下閘極氧化鋅透明薄膜電晶體元件特性，利用射頻共濺鍍系統 濺鍍成長氧化鋅緩衝層與含微量鋁金屬氧化鋅通道層薄膜，並比較有無氧化鋅緩衝 ...瀏覽：1241
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本論文主在探討增強型下閘極氧化鋅透明薄膜電晶體元件特性，利用射頻共濺鍍系統
濺鍍成長氧化鋅緩衝層與含微量鋁金屬氧化鋅通道層薄膜，並比較有無氧化鋅緩衝 ......
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日期：2024-08-05
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射頻濺鍍，於室溫下改變氧/氬工作氣體比例、電漿功率等參數，沉積非晶質氧化 ......
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日期：2024-08-03
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日期：2024-08-05
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日期：2024-08-02
2010年3月23日 ... 近年來，透明氧化物半導體薄膜電晶體相較於傳統的非晶矽薄膜半導體電晶體或低溫
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日期：2024-07-30
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日期：2024-08-03
近年來，透明氧化物半導體薄膜電晶體已引起廣大的注意，主因是它具有低溫多晶矽
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日期：2024-08-05
薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)在主動陣列式(Active Matrix, AM)有機發光二
... 此外以奈/微米矽晶(nc/µc-Si)以及透明金屬氧化物半導體(TCO)為主動層的兩類 ......
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