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日期:2024-08-26
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日期:2024-08-31
主要使學生具有現行半導元件之操作原理之基本概念並以此為基礎,藉由討論 ... 半導體元件基本操作原理(I): p-n接面二極體、金半接面二極體、發光二極體元件及 ......
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日期:2024-08-28
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日期:2024-08-31
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日期:2024-08-25
表A1.1 不同電極材料下之金半接面能障高度(barrier height)及理想因子(ideality) .... 鎵的應用,最認識的部分是它在藍光發光二極體的應用,它可以實現LED 的全彩 ......
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日期:2024-08-30
2011年8月23日 - 具氮化鋁鎵/氮化鎵蕭基二極體之氮化銦鎵交流發光二極體 ..... 圖2.2.12發光二極體元件之(a) Ti/Al/Ti/Au與p-GaN之金半接面電流-電壓特性(b) Ni/Au ......
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日期:2024-08-24
遠東學報第二十一卷第三期中華民國九十三年七月出版. 495. 氮化鎵 ... 關鍵字: 氮化鎵,歐姆接觸,發光二極體 ... 之外,金半接面的品質也扮演著非常重要的角. 色。...
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日期:2024-08-26
發光二極體(light emitting diode,LED). 雷射二極體(laser diode,LD) ... (c)同為p-i-n二極體; (b)為p-n二極體; (d)為金半二極體; (e)為金-i-n二極體; (f)為半導體點接觸二極體 ... p-n感光二極體之缺點:; 接面或空乏層電容不小,受RC時間常數的限制,使其 ......