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日期:2024-07-12
電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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日期:2024-07-16
p 덱륄JFET ꑵ 귬뉺 n덱륄곛 ꅁ 걏덱륄걏 p 뻉엩 ꅁ뻉 덱껉녡 륱 륱걽 랽랥롧덱륄걹ꑊ 랥ꅁ륱걹 ꅁ랽랥륱 뚷룻 랥 결낪ꅃ놱 륨랥걏 n+뻉엩 ꅁ굮녎덱륄 륨랥 뚷 ꑗ 냷...
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日期:2024-07-11
金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET )是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體(field-effect transistor)。MOSFET依照其 「通道」...
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日期:2024-07-14
金屬氧化物 半導體場效電晶體 金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可 以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體(field-effect ......
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日期:2024-07-17
5.雙極電晶體(BJT)原理與Ebers-Moll 模型 5.1(pdf) 5.2(pdf) 5.3(pdf) reading:雙極電晶體簡介 較清楚的圖 6.BJT之電路模型及基本電路 6.1(pdf) 6.2(pdf) 6.3(pdf) 6.4(pdf) 6.5(pdf) 6.6(pdf) 6.7(pdf) 6.8(pdf ......
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日期:2024-07-11
臨界電壓(續) 使用平帶電壓定義,我們也可以將臨界電壓表示 成 對於一個給定的半導體材料、氧化層材料和閘極 材料而言,臨界電壓是半導體摻雜、氧化層電荷 Q’ ss 和氧化層厚度的函數。 Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 26...
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日期:2024-07-10
20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章:場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET)特性。8-4場效電晶體應用」。 ... 本教材部分圖文取材自旗立資訊電子學II,書號15156,謹此誌謝。 學習單下載:20090406_e_ch08_dash_3_to_ch08_dash_4 ......
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日期:2024-07-17
積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇:是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向,或推出稱為 鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ......