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日期:2024-08-27
1 Reference Solid State Technology Semiconductor International 電子月刊 電子資訊 J. of Applied Physics J. of the ......
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日期:2024-09-01
互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點, ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極(gate ..... 取自“http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=互補式金屬氧化物半導體&oldid=30662626”....
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日期:2024-08-28
MOSFET在概念上屬於「絕緣閘極場效電晶體」(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。 ..... 在功率電晶體(Power MOSFET)的領域裡,通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加,這樣 ......
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日期:2024-09-01
到底什麽是創意呢?為什麽要強調創意呢?簡單的說,創意就是:你可以看到人家看不到的,在這件事物上面,把它做的更好,更快,或是更便宜--這不是各位正在做的論文嗎(如果你不是文抄公的話)?具體的說,它就是一種智慧財產.不管是有形的一顆芯片,一段程序 ......
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日期:2024-08-25
LFP-NCO(奈米金屬氧化物共晶體化磷酸鐵鋰化合物)發展史 磷酸鐵鋰正極材料開始發展於1996年,經過實驗證實可能為一種橄欖石結構的N型半導體材料,但是這種型態的材料擁有某些的缺點,例如,低的導電度、較少的電洞以及低的電容量,這些的缺點阻礙了 ......
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日期:2024-09-01
由金屬層,氧化層,及半導體層三層厚度不等的材質依順序堆疊所產生。MOS是利用在半導體的電場感應以夠控制電流大小的元件,本身是電容器。常用的MOS元件 ......
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日期:2024-08-31
利用飛思卡爾先進的第六代高電壓(HV6) LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)技術,使MRF6P3300H電晶體具備RF效能,並可提升營運效率和下一代功率放大器和 ......
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日期:2024-08-25
CMOS,全稱Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互補金屬氧化物半導體,是一種大規模應用於集成電路晶元製造的原料。採用CMOS技術可以將成對的 ......