search:金屬氧化物半導體igzo相關網頁資料

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        公司成立於中華民國六十七年八月二十九日,產品項目為: (1)濺鍍薄膜靶材:主要產品為光碟片、被動元件、硬碟、平面顯示器與玻璃等產業用之純金屬、合金與非金屬化合物靶材。 (2)貴金屬材料:包含貴金屬化學品(硝酸銀
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        IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫,是一種薄膜電晶體技術,在 TFT-LCD主動層之上,打上一層金屬氧化物。IGZO技術由夏普(Shar. ... 一層金屬 氧化物。IGZO技術由夏普(Sharp)掌握,是與日本半導體能源研究所共同開發的產品 。
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    日期:2024-07-25
    2012年3月29日 ... 鴻海藉由與夏普結盟,取得金屬氧化物半導體(IGZO)技術,打造十代廠,並為蘋果 iTV電視建立面板專線, ......
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    日期:2024-07-22
    2013年3月15日 ... 圖2 JST透明性氧化物半導體相關研究成果授權圖 ... 隨即任職於名古屋工業大學 擔任助手,1993年轉任至東京工業大學工業材料研究所助教授時,在金屬氧化物機能 性材料領域即樹立傑出的 ......
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    日期:2024-07-26
    2013年6月19日 ... 因應這個演進,氧化物半導體(Oxide Semiconductor;OS)成為這類材料的稱呼,以 突顯其半導體特性, ......
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    日期:2024-07-27
    2012年3月19日 ... 索尼(Sony)技術人員進駐友達,攜手開發主動有機發光二極體(AMOLED)與金屬 氧化物半導體(IGZO)的 ......
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    日期:2024-07-20
    2012年1月2日 ... ... 度高,且良率也是一大問題,因此面板廠積極投入金屬氧化物半導體的研發工作, 目前又以非結晶氧化銦 ......
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    日期:2024-07-26
    2014年1月7日 ... 這種氧化物半導體薄膜電晶體技術,最早是由東京工業大學細野秀雄教授於2003年 所發表,原理是使用由銦(Indium;In)、鎵(Gallium;Ga)、鋅(Zinc;Zn)三種金屬的氧化 物所組合成的材料 ......
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    日期:2024-07-22
    液晶平躺的廣視角(IPS)、低溫多晶矽(LTPS)、金屬氧化物半導體(IGZO)與主動 有機發光二極體(AMOLED)等,皆被認為是下 ......
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    日期:2024-07-25
    搜尋金屬氧化物半導體igzo技術由部落客推薦的關聯性排行文章-第1頁,金屬氧化物 半導體igzo技術的最佳3C影音教學網誌 ......