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日期:2024-09-20
積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇:是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向,或推出稱為 鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ......
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日期:2024-09-25
主要業務: PCB/BGA/Flip Chip/LED/NMP/LCD/TP/PV 等製程所需之特用化學品供應及綠色產品、綠色材料。 ... 奇奕國際股份有限公司成立於1992年,二十年來隨著銷售與服務經驗的累積,與研發能力的增長,產品線的日漸多樣化,我們許下: 成為「大中華地區特用 ......
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日期:2024-09-25
公司 工廠/階段 最大 產能 2012 H1 2012 H2 2013 Q1 2013 Q2 2013 Q3 2013 Q4 京東方 大陸合肥B3(6代線)/4 10-2 5 5 10 10 大陸合肥B5(8代線)/1 45-----5 Sharp 日本龜山2(8代線)/1 20 20 22 22 22 22 22 日本龜山2(8代線)/2 20 5 22 22 22 22 22 日本龜山2(8代線)/3 20...
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日期:2024-09-21
10pt 3>因為新材料的引入,使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......
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日期:2024-09-19
Oxide TFT將成為下世代顯示面板的基板技術首選。台日韓面板廠在Oxide TFT技術的研發腳步愈來愈快,不僅已突破材料與薄膜製程等技術瓶頸,更成功展示Oxide TFT顯示器原型,為該技術商品化增添強勁動能,並有助其成為新一代...
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日期:2024-09-26
絕緣層上矽分析及應用 明新學報32 期, Volume 32, Minghsin Journal 105 氧化,產生一層氧化層,控制氧化環境溫度使氧化層和矽層介面為低缺陷低雜質。當兩個晶圓都處理過 後,利用凡得爾力(Vender Walls force )的作用將元件晶圓和操作晶圓進行鏈 ......
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日期:2024-09-26
32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破 2007/12/24 [ 友 善 列 印 | 推 薦 好 友 ] 在2007 Symposium on VLSI Technology有關高介電常數絕緣膜/金屬閘極(high-k/metal gate)議程的會場上,Intel和IBM公司以「電晶體(transistor)歷史中最大的 ......
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日期:2024-09-20
行動版 - 1 電路符號; 2 金氧半場效電晶體的操作原理. 2.1 金氧半場效電晶體的核心; 2.2 金氧半場效電晶體的結構 ......